[发明专利]一种接触窗的形成方法有效
| 申请号： | 201810489030.1 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108751123B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 张光瑞;马琳;陆原 | 申请（专利权）人： | 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技术开发区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 接触 形成 方法 | ||
1.一种接触窗的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上依次设置有欧姆接触层、接触窗层和保护层；其中，所述欧姆接触层为掺杂后的半导体材料，所述接触窗层材料为SiO2或SiOC，所述保护层材料为SiN或SiON；
在所述保护层上形成开设有第一腔的光阻层；
在20℃～40℃温度下，刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料，在所述保护层上形成第二腔；
去除所述光阻层；
在-10℃～0℃温度下，采用第一混合气体基于终点蚀刻侦测技术刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层材料，形成接触窗；其中，所述第一混合气体包括C5F8、CO、CF4、CHF3、CH3F、Ar、O2和He；所述第一混合气体中C5F8的体积比上CO的体积的比值范围为2～3；CH3F的体积比上CH4的体积的比值范围为1～3。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料，包括：
采用第二混合气体刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料；其中，所述第二混合气体包括CF4和CHnFm，其中，n,m均为正整数。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料，包括：
按预设刻蚀时长进行刻蚀，以刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述光阻层，包括：
采用O2去除所述光阻层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层的厚度是所述接触窗层的厚度的1.5～2倍。
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