[发明专利]恒定电流启动电路有效
申请号: | 201810482115.7 | 申请日: | 2018-05-18 |
公开(公告)号: | CN110502060B | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 邵金柱;罗丙寅;林昌全;李进 | 申请(专利权)人: | 华润微集成电路(无锡)有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 恒定 电流 启动 电路 | ||
1.一种恒定电流启动电路,其特征在于,所述启动电路包括:限压电路,及与所述限压电路连接的启动电流产生电路;其中,
所述限压电路具有一预设电压,在输入所述限压电路的输入电压大于所述预设电压时,所述限压电路将所述输入电压钳制为所述预设电压,以为所述启动电流产生电路提供恒定的工作电压;
所述启动电流产生电路基于所述工作电压,产生一恒定的启动电流,所述启动电流产生电路包括:参考电压产生电路,与所述限压电路连接,用于根据所述限压电路输出的所述工作电压,产生一恒定的参考电压并输出;及恒流产生电路,与所述参考电压产生电路连接,用于根据所述参考电压产生电路输出的所述参考电压,产生一恒定的启动电流。
2.根据权利要求1所述的恒定电流启动电路,其特征在于,所述限压电路包括:一N型JFET管及限流电阻;所述JFET管的栅极端接参考地,所述JFET管的漏极端接输入电压,所述JFET管的源极端与所述限流电阻的一端连接,所述限流电阻的另一端与所述启动电流产生电路连接;其中,所述预设电压为所述JFET管的夹断电压。
3.根据权利要求1所述的恒定电流启动电路,其特征在于,所述参考电压产生电路包括:第一MOS管及一晶体管;所述第一MOS管的第一连接端与所述限压电路及所述第一MOS管的栅极端连接,且作为所述参考电压产生电路的输出端与所述恒流产生电路连接,所述第一MOS管的第二连接端与所述晶体管的基极及所述晶体管的集电极连接,所述晶体管的发射极接参考地。
4.根据权利要求3所述的恒定电流启动电路,其特征在于,所述恒流产生电路包括:第二MOS管及第一电阻;其中,所述第二MOS管的栅极端与所述参考电压产生电路的输出端连接,所述第二MOS管的第一连接端作为所述恒流产生电路的输出端,所述第二MOS管的第二连接端与所述第一电阻的一端连接,所述第一电阻的另一端接参考地。
5.根据权利要求4所述的恒定电流启动电路,其特征在于,所述第一MOS管和所述第二MOS管的类型及尺寸均相同。
6.根据权利要求4所述的恒定电流启动电路,其特征在于,所述第一MOS管及所述第二MOS管均为NMOS管,且所述第一连接端为漏极端,所述第二连接端为源极端。
7.根据权利要求1至6任一项所述的恒定电流启动电路,其特征在于,所述启动电路还包括:与所述启动电流产生电路连接的电流镜电路,用于按预设镜像比例将所述启动电流产生电路产生的启动电流进行镜像处理,以产生一镜像电流。
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