[发明专利]数据控制电路以及包括其的半导体存储装置和半导体系统有效
申请号: | 201810473630.9 | 申请日: | 2018-05-17 |
公开(公告)号: | CN109473135B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 金显承 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C7/22 | 分类号: | G11C7/22 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;李少丹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据 控制电路 以及 包括 半导体 存储 装置 系统 | ||
1.一种半导体存储装置,包括:
控制信号发生器,其被配置为基于操作控制信号和操作设置信号来产生第一比特位选择信号和第二比特位选择信号;
多数确定器,其被配置为:在读取操作中基于第一比特位选择信号和第二比特位选择信号而通过确定数据的所有比特位的电平来产生数据控制标志信号,在写入操作中基于第一比特位选择信号和第二比特位选择信号而通过确定数据的部分比特位的电平来产生数据控制标志信号;
输入/输出电路块,其被配置为基于数据控制标志信号来将数据反相或不反相,并且被配置为输出一输出;以及
数据线中继器块,其被配置为基于数据控制标志信号来选择性地输出数据。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,多数确定器包括:
数据比特位选择器,其被配置为在第一比特位选择信号和第二比特位选择信号两者都被使能时输出数据的所有比特位,而在第一比特位选择信号被禁止且第二比特位选择信号被使能时输出数据的部分比特位;以及
解码器,其被配置为对数据比特位选择器的输出进行解码并且产生数据控制标志信号。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置,
其中,半导体存储装置还包括:
存储体区,其被配置为储存数据;以及
数据传输线,其被配置为传输数据,
其中,输入/输出电路块将与外部装置耦接的数据总线与数据传输线耦接,以及
其中,数据线中继器块将数据传输线与存储体区耦接。
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其中,输入/输出电路块将通过数据总线接收到的数据输出至数据传输线,或者将通过数据传输线接收到的数据输出至数据总线。
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置,其中,输入/输出电路块包括至少一个输入/输出电路,所述输入/输出电路包括读取多路复用器,所述读取多路复用器在数据控制标志信号为使能状态时通过将数据反相来输出一输出,而在数据控制标志信号为禁止状态时通过将数据不反相来输出一输出。
6.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其中,数据线中继器块将通过数据传输线接收到的数据提供给存储体区,或者将从存储体区输出的数据提供给数据传输线。
7.根据权利要求6所述的半导体存储装置,其中,数据线中继器块包括至少一个中继器,所述中继器包括写入多路复用器,所述写入多路复用器在数据控制标志信号处于使能状态时使能数据掩蔽信号,而在数据控制标志信号处于禁止状态时禁止数据掩蔽信号。
8.根据权利要求7所述的半导体存储装置,其中,数据线中继器块包括至少一个中继器,所述中继器在数据掩蔽信号为使能状态时阻止通过数据传输线接收到的数据被输出至存储体区,而在数据掩蔽信号为禁止状态时将通过数据传输线接收到的数据输出至存储体区。
9.一种半导体存储装置,包括:
控制信号发生器,其被配置为:无论读取操作还是写入操作被执行,产生第一比特位选择信号和第二比特位选择信号;
多数确定器,其被配置为基于第一比特位选择信号和第二比特位选择信号而通过确定读取数据的所有比特位的电平和写入数据的部分比特位的电平来产生数据控制标志信号;
输入/输出电路块,其被配置为基于数据控制标志信号来将经由数据传输线传输的读取数据反相或不反相,并且被配置为输出一输出;以及
数据线中继器块,其被配置为基于数据控制标志信号来选择性地将经由数据传输线传输的写入数据输出至存储体区。
10.根据权利要求9所述的半导体存储装置,其中,多数确定器在读取操作中通过确定读取数据的所有比特位的电平来产生数据控制标志信号,而在写入操作中通过确定写入数据的部分比特位的电平来产生数据控制标志信号。
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