[发明专利]改性的液晶高分子聚合物、高分子膜及相应的制备方法

说明书

一种改性的液晶高分子聚合物，所述改性的液晶高分子聚合物的化学结构式为其中，R₁、R₂及R₃分别选自链状烷烃基团，p、q为大于1的自然数，所述改性的液晶高分子聚合物的熔点为220摄氏度～300摄氏度。另，本发明还提供一种上述改性的液晶高分子聚合物的制备方法、一种应用该改性的液晶高分子聚合物的高分子膜及其制备方法。

技术领域

本发明涉及一种改性的液晶高分子聚合物、该改性的液晶高分子聚合物的制备方法、应用该改性的液晶高分子聚合物的高分子膜及该高分子膜的制备方法。

背景技术

在大数据时代，电子产品的信息处理不断向着信号传输高频化和高速数字化的方向发展。若要保证电子产品在高频信号传输的条件下同时具有良好的信号传输质量，需要柔性电路板的导电铜箔中的传输线与其所连接的电子元件之间处于阻抗匹配状态，避免造成信号反射、散射、衰减及延迟等现象。柔性电路板中与导电线路相接触的胶层的材料的介电常数及介电损耗因子是影响高频传输阻抗匹配的一重要因素。现有技术中用于柔性印刷电路板中的高分子膜层常常采用液晶高分子聚合物形成的液晶高分子膜，因聚合物结构排列整齐，因此使得液晶高分子膜具有较低的介电损耗因子D_f，然而，现有技术中的液晶高分子聚合物在形成所述液晶高分子膜时的成膜加工特性较差。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种利于信号高频传输且成膜性好的改性的液晶高分子聚合物。

另，还有必要提供一种制备上述改性的液晶高分子聚合物的制备方法。

另，还有必要提供一种应用所述改性的液晶高分子聚合物制得的高分子膜及其制备方法。

一种改性的液晶高分子聚合物，所述改性的液晶高分子聚合物的化学结构式为

其中，R₁、R₂及R₃分别选自链状烷烃基团，p、q为大于1的自然数，所述改性的液晶高分子聚合物的熔点为220摄氏度～300摄氏度。

一种改性的液晶高分子聚合物的制备方法，其包括以下步骤：

将4-甲苯磺酰氯、N,N-二甲基甲酰胺及吡啶混合形成一第一组合物；

往4-羟基苯甲酸、6-羟基-2-萘甲酸分别加入吡啶，使得4-羟基苯甲酸、6-羟基-2-萘甲酸分别在吡啶中溶解并分散依次制得第一溶液及第二溶液，往由结构式为HO-R₁-OH的二醇类化合物以及结构式为的二酸类化合物构成的混合物中或者结构式为的羟基酸类化合物中加入吡啶，使得所述混合物或者所述羟基酸类化合物在吡啶中溶解并分散制得第三溶液，其中，R₁、R₂及R₃分别选自链状烷烃基团；

将上述第一溶液加入所述第一组合物中，混合均匀后中加热反应制得第二组合物；

在加热条件下，将所述第二溶液加入所述第二组合物中反应制得第三组合物；

在加热条件下，将所述第三溶液加入所述第三组合物中反应制得第四组合物，其中，所述第四组合物中溶解有化学结构式为

的改性的液晶高分子聚合物，其中，p、q为大于1的自然数；

将所述第四组合物中的所述改性的液晶高分子聚合物析出形成沉淀，再分离清洗得到所述改性的液晶高分子聚合物，所述改性的液晶高分子聚合物的熔点为220摄氏度～300摄氏度。

一种高分子膜，其通过将包含有如上所述的改性的液晶高分子聚合物烘烤固化后制得，所述高分子膜中包括所述改性的液晶高分子聚合物间发生交联反应形成的化学交联网络结构。