[发明专利]一种铁基光电化学薄膜有效
| 申请号： | 201810464512.1 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108559962B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 吕崇新 | 申请（专利权）人： | 泉州嘉德利电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/08;C23C14/58;C25B11/06;C25B1/04 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 362100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光电 化学 薄膜 | ||
1.一种铁基光电化学薄膜，其特征在于：所述铁基光电化学薄膜是由以下方法制备的：
提供玻璃基片；
对所述玻璃基片表面进行清洗和粗化处理，得到表面处理的玻璃基片；
在所述表面处理的玻璃基片表面，通过第一磁控溅射，沉积第一Ti层；
在所述第一Ti层上，通过第二磁控溅射，沉积第二Ti层；
在所述第二Ti层上，通过第三磁控溅射，沉积第一Fe层；
在所述第一Fe层上，通过第四磁控溅射，沉积Sb和Bi共掺杂的Fe层；
在所述Sb和Bi共掺杂的Fe层上，通过第五磁控溅射，沉积第二Fe层，得到复合薄膜；
对所述复合薄膜进行氧化热处理，得到氧化的复合薄膜；以及
在所述氧化的复合薄膜表面，通过第六磁控溅射，沉积TiO2层，所述第一Ti层厚度为40-60nm，所述第一磁控溅射具体为：溅射靶材为Ti靶，采用脉冲溅射工艺，溅射频率为50-100kHz，溅射功率为150-200W，氩气流量为50-100sccm，基片温度为200-300℃，所述第二Ti层厚度为70-100nm，所述第二磁控溅射具体为：溅射靶材为Ti靶，采用脉冲溅射工艺，溅射频率为50-100kHz，溅射功率为150-200W，氩气流量为50-100sccm，基片温度为200-300℃，所述第一Fe层厚度为20-30nm，所述第三磁控溅射具体为：溅射靶材为Fe靶，采用脉冲溅射工艺，溅射频率为150-200kHz，溅射功率为100-150W，氩气流量为50-100sccm，基片温度为300-400℃，所述Sb和Bi共掺杂的Fe层的厚度为40-60nm，所述第四磁控溅射具体为：溅射靶材为Fe靶，在Fe靶上进行金属Sb和金属Bi贴片，采用脉冲溅射工艺，溅射频率为150-200kHz，溅射功率为200-250W，氩气流量为50-100sccm，基片温度为450-500℃，所述第二Fe层的厚度为20-30nm，所述第五磁控溅射工艺为：溅射靶材为Fe靶，采用脉冲溅射工艺，溅射频率为100-150kHz，溅射功率为100-150W，氩气流量为50-100sccm，基片温度为250-300℃，所述氧化热处理工艺为：热处理温度为600-700℃，升温速率为10-15℃/min，保温时间为3-4h，氧气流量为20-40sccm，所述TiO2层厚度为10-20nm。
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