[发明专利]一种Si3有效

专利信息
申请号: 201810453753.6 申请日: 2018-05-14
公开(公告)号: CN108640700B 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 张磊磊;朱非晏;李贺军;管科杰;张雨雷 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C04B35/83 分类号: C04B35/83;C04B35/628
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 si base sub
【说明书】:

发明涉及一种Si3N4纳米线的表面改性方法,通过在Si3N4纳米线表面制备碳层和碳纳米管层,使得Si3N4纳米线的表面由光滑状态转变为粗糙状态,并且表面呈现出多孔结构。此外,在Si3N4纳米线表面施加的碳层和碳纳米管层基本由碳元素组成,该元素成分与碳/碳复合材料的热解碳基体的化学成分一致,因而从表面形貌和表面化学成分两方面促进了Si3N4纳米线与热解碳基体的界面结合,从而使得碳/碳复合材料的压缩强度大幅提高,提高最大值达到124%。

技术领域

本发明属于复合材料的制备方法,涉及一种Si3N4纳米线的表面改性方法。

背景技术

Si3N4是一种重要的结构和功能陶瓷材料,具有极高的硬度、良好的耐磨性和抗冷热冲击的能力。Si3N4纳米线在一定程度上继承了Si3N4陶瓷的热物理性能,同时本身的纳米结构又赋予了它一些特殊的性能,如极高的长径比,大的比表面积,良好的柔韧性,从而使Si3N4纳米线在增强材料领域均表现出较好的应用前景。

文献1“K.Y.Li,K.Zhao,Y.G.Wang et al.In-situ synthesis and growthmechanism of silicon nitride nanowires on carbon fiber fabrics.CeramicsInternational,2014.40(10):p. 15381-15389.”报道了通过聚合物前驱体催化裂解法在碳布上原位合成Si3N4纳米线,所获得的Si3N4纳米线直径为30-150nm,长度为几百纳米,表面呈现光滑状态。

文献2“J.H.Lu,K.B.Guo,Q.Song et al.,In-situ synthesis silicon nitridenanowires in carbon fiber felts and their effect on the mechanical propertiesof carbon/carbon composites.MaterialsDesign,2016.99:p.389-395.”报道了通过聚合物前驱体催化裂解法在碳纤维毡中原位合成Si3N4纳米线,制得的Si3N4纳米线直径为50-100nm,长度为20-50μm,表面呈现光滑状态。

文献3“K.B.Guo,J.H.Lu,and Q.Guo,A facile method of massively producingthree-dimensional silicon nitride nanowire cloth.Materials Letters,2016.185:p.222-225.”报道了通过聚合物前驱体催化裂解法制备了Si3N4纳米线。制得的Si3N4纳米线直径为 100-200nm,表面呈现光滑状态。

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