[发明专利]一种XnR宽温高稳定的BaTiO3 有效
| 申请号: | 201810445941.4 | 申请日: | 2018-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN108395243B | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
| 发明(设计)人: | 郝华;杨洋;刘韩星;罗智平;陈程;曹明贺;尧中华 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
| 主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;C04B35/468 |
| 代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 张秋燕 |
| 地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 xnr 宽温高 稳定 batio base sub | ||
本发明涉及一种XnR宽温高稳定的BaTiO3基介质陶瓷及其制备方法。该介质材料的化学组成为(1‑y)BaTi1‑xCaxO3‑x‑yBi(Zn0.5Ti0.5)O3(x=0.04~0.05,y=0.1~0.15)陶瓷。该介质陶瓷具有性能优良、成本低,在宽温范围内的高稳定性等特点,尤其当x=0.04~0.05,y=0.15时,制得满足X9R特性的陶瓷电容器介质材料。
技术领域
本发明涉及一种XnR宽温高稳定的BaTiO3基介质陶瓷及其制备方法,主要应用于多层陶瓷电容器等电子元器件领域。
背景技术
BaTiO3陶瓷及其固溶体具有优异的绝缘、铁电性能和环境友好特点,是目前制备XnR系列(X7R:-55~125℃,ΔC/C≤±15%、X8R:-55~150℃,ΔC/C≤±15%、X9R:-55~200℃,ΔC/C ≤±15%)陶瓷电容器材料最常使用的体系。
目前用于制造这类大容量热稳定型MLCC的介质材料主要集中于Nb、Co等氧化物、BaTiO3与BaTiO3-Bi(Me)O3(Me=Al,Sc,(Ti1/2Zn1/2),(Ti1/2Mg1/2)等)等形成以“核-壳”结构为主的材料。但“核-壳”结构形成率较低,制备方法复杂。专利号为201010137504.X的发明专利公开了一种新型无铅X8R型电容器陶瓷材料及其制备方法,该发明着重于 xBi(Mg1/2Ti1/2)O3-(1-x)BaTiO3体系,其性能符合X8R(-55℃~156℃)要求,但是高温端不能达到200℃的要求。同样,专利号为201110145367.9的发明,分别使用溶胶凝胶法制备 BaTiO3-Nb2O5-Co2O3-Sm2O3-CeO2粉体与0.5BaTiO3-0.5Bi(Mg1/2Ti1/2)O3粉体,该发明也是着重于xBi(Mg1/2Ti1/2)O3-(1-x)BaTiO3体系,其性能符合X8R(-55℃~156℃)要求,但是该发明步骤繁多且高温端不能达到200℃的要求。专利号为201410339048.5的发明专利公开了一种超宽温高稳定无铅电容器陶瓷介质材料及其制备方法,该发明涉及xBiAlO3-(1-x)BaTiO3(溶胶凝胶法制备),容温变化率不超出±15%的温度范围:-55~443℃,但其介电常数较低(~600)。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术中的问题,提供一种XnR宽温高稳定的 BaTiO3基介质陶瓷及其制备方法,该介质陶瓷具有性能优良、成本低,且在宽温范围内的高稳定性等特点。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案如下:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学,未经武汉理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810445941.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





