[发明专利]有纹理的自清洁膜系统以及用于形成该膜系统的方法

权利要求书

1.一种自清洁膜系统，包括：

基底；和

在所述基底上设置的抗反射膜，且所述抗反射膜包括：

由二氧化钛形成的第一片材；

由二氧化硅形成并设置在所述第一片材上的第二片材；和

由二氧化钛形成并设置在所述第二片材上的第三片材；

设置在所述抗反射膜上的自清洁膜，且所述自清洁膜包括：

设置在所述第三片材上并由氟化材料形成的单层，所述氟化材料选自由氟化有机化合物、氟化无机化合物和它们的组合组成的组；和

在所述单层之内设置的第一多个区域，以使得所述第一多个区域中的每个邻接所述氟化材料并由所述氟化材料围绕，其中，所述第一多个区域中的每个包括光催化材料。

2.根据权利要求1所述的自清洁膜系统，其中，所述自清洁膜具有第一表面和第二表面，所述第二表面相对所述第一表面相间隔开并邻接所述抗反射膜，而且进一步，其中，所述第一表面基本上不含角鲨烯和水。

3.根据权利要求1所述的自清洁膜系统，其中，所述自清洁膜限定大于140°的水接触角。

4.根据权利要求1所述的自清洁膜系统，其中，所述光催化材料为二氧化钛并且以锐钛矿形式在所述第一多个区域中呈现。

5.根据权利要求1所述的自清洁膜系统，其中，所述光催化材料掺杂有银。

6.根据权利要求1所述的自清洁膜系统，还包括在所述单层之内设置的第二多个区域，以使得所述第二多个区域中的每个邻接所述氟化材料并由所述氟化材料围绕，其中，所述第二多个区域中的每个包括银。

7.根据权利要求1所述的自清洁膜系统，其中，所述氟化材料为氟化类金刚石碳。

8.根据权利要求1所述的自清洁膜系统，其中，所述单层具有由多个微米结构和多个纳米结构限定的纹理。

9.根据权利要求1所述的自清洁膜系统，其中，所述抗反射膜还包括设置在所述第三层上并由二氧化硅形成的第四层。

10.一种形成自清洁膜系统的方法，所述方法包括：

将抗反射膜沉积在基底上，其中，所述抗反射膜包括：

由二氧化钛形成的第一片材；

由二氧化硅形成并设置在所述第一片材上的第二片材；和

由二氧化钛形成并设置在所述第二片材上的第三片材；

将自清洁膜磁控溅射在所述抗反射膜上，其中，所述自清洁膜包括：

设置在所述第三片材上并由氟化材料形成的单层，所述氟化材料选自由氟化有机化合物、氟化无机化合物和它们的组合组成的组；和

设置在所述单层之内的第一多个区域，以使得所述第一多个区域中的每个邻接所述氟化材料并由所述氟化材料围绕，其中，所述第一多个区域中的每个包括光催化材料；以及

在磁控溅射之后，利用SF₆-O₂气体，反应离子蚀刻所述自清洁膜，以产生纹理，所述纹理通过以下限定：

沿着所述单层彼此相互相间隔开的多个微米结构；和

在所述多个微米结构的每个上设置的多个纳米结构。