[发明专利]一种带隙基准电压二阶补偿电路有效
| 申请号： | 201810433620.2 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108508952B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 苟超;孙毛毛;梁盛铭;王菡;李鹏;罗凯;刘一杉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基准 电压 补偿 电路 | ||
1.一种带隙基准电压二阶补偿电路，其特征在于：
该电路包括：传统一阶补偿带隙基准电路、过温保护电路和二阶补偿电路；
传统一阶补偿带隙基准电路，包括运算放大器OP1，双极晶体管Q1～Q3，电阻R1～R6；
其中，OP1正向输入端连接Q3的集电极和R2的一端，OP1反向输入端连接Q2的集电极和R1的一端，OP1输出端连接Q1的基极；Q1的集电极连接电源VDD，发射极连接R1的另一端、R2的另一端、R3的一端以及过温保护电路中双极晶体管Q4的基极；Q2的基极与Q3的基极相连，同时连接到R3的另一端、R6的一端，Q2的发射极连接R4的一端；Q3的发射极连接R4的另一端和R5的一端；R6的另一端和R5的另一端均连接到地；
过温保护电路，包括双极晶体管Q4、Q5，MOS晶体管M1、M2、M4、M6、M7，电阻R7～R9，反相器I1、I2；其中，Q4的发射极连接R7的一端，集电极连接M1的栅极和漏极以及M2、M4的栅极，同时连接到二阶补偿电路中M3的栅极；R7的另一端连接到地；M1、M2、M4的源极均连接到电源VDD；M2的漏极连接到R8的一端和Q5的基极；M4的漏极连接M6的源极；R8的另一端连接到R9的一端和M7的漏极；Q5的集电极连接到M6的栅极和漏极、二阶补偿电路中M5的栅极以及I1的输入端；R9的另一端连接到地；M7的源极连接到地，栅极连接I2的输出端；I1的输出端连接I2的输入端；
二阶补偿电路，包括MOS晶体管M3和M5；其中，M3的源极连接到电源VDD，漏极连接到M5的源极；MOS晶体管M5的漏极连接到Q3的发射极。
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