[发明专利]暂时性接着用组成物以及暂时性接着用溶液有效
申请号: | 201810425352.X | 申请日: | 2018-05-07 |
公开(公告)号: | CN110295026B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 张修明;洪宗泰;萧丽蓉;林博文 | 申请(专利权)人: | 台虹科技股份有限公司 |
主分类号: | C09J179/08 | 分类号: | C09J179/08;C09J11/04;C08G73/10;C09J7/10 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 吴志红;臧建明 |
地址: | 中国台湾高雄市前*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 暂时性 接着 组成 以及 溶液 | ||
本发明提供一种暂时性接着用组成物以及暂时性接着用溶液。所述暂时性接着用组成物包括二酐单体、吸光单体以及吸光材料。吸光单体包括N,N,N’,N’‑四(对氨基苯基)‑对苯二胺及N,N’‑双(4‑氨基苯基)‑N,N’‑二苯基‑对苯二胺中的至少一者。吸光材料包括碳黑及二氧化硅。
技术领域
本发明涉及一种暂时性接着用组成物以及暂时性接着用溶液,尤其涉及一种含有高吸旋光性的吸光材料的暂时性接着用组成物以及暂时性接着用溶液。
背景技术
随着微电子工业的发展以及电子市场的驱动,半导体封装技术越来越朝向更小、更轻薄且性能更加优良的趋势迈进。为了使晶圆在使用中能够更佳地散热、延长寿命并有利于后期系统封装,通常需要将晶圆片的厚度降至100μm。一般而言,先将晶圆器件暂时性地黏接至较厚的承载玻璃上,通过对晶圆背部进行腐蚀、研磨等处理以减少一定厚度,再通过外界的光、电、热或力使黏接层失效,而将晶圆器件与承载体分离而完成,其中用来先接着后离型的暂时性接着层对制程是否能够成功实施具有关键性的影响。更详细而言,暂时性接着层在晶圆增层暂时固定、厚晶圆减薄与裁切暂时固定以及运送暂时固定的情况下,均发挥相当重要的作用。
在现有技术中,暂时性接着层的解黏方式包括UV光照射解黏、溶剂解黏或激光解黏。UV光照射解黏的耐热温度约为120℃,无法耐温至260℃,容易受到日害影响,造成解黏反应提早发生。溶剂解黏的缺点则为耐溶剂性不佳,因此,可能造成制程上限制,故不符合市场需求。激光解黏的耐热性及耐化性较佳,但一般只在波长为355nm或532nm的激光照射下失去黏着力,较少适用于波长为1064nm的激光,因此,较不易使用红光激光解黏。
基于上述,发展出一种通过激光吸收降低黏着力的暂时性接着层,以提高激光波长吸收度,为目前所需研究的重要课题。
发明内容
本发明提供一种暂时性接着用组成物,含有高吸旋光性的吸光材料,具有良好耐热性、耐化性及密着性,可通过吸收波长为1064nm的激光降低黏着力。
本发明的暂时性接着用组成物包括二酐单体、吸光单体以及吸光材料,其中吸光单体包括N,N,N’,N’-四(对氨基苯基)-对苯二胺及N,N’-双(4-氨基苯基)-N,N’-二苯基-对苯二胺中的至少一者,吸光材料包括碳黑及二氧化硅。
在本发明的一实施例中,二酐单体为2,3,3',4'-二苯醚四甲酸二酐、3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐以及3,3',4,4'-二苯醚四羧酸二酐的其中一种。
在本发明的一实施例中,以暂时性接着用组成物的总重量计,二酐单体的添加量为10wt%至40wt%,吸光单体的添加量为10wt%至20wt%,吸光材料的添加量为20wt%至50wt%。
在本发明的一实施例中,暂时性接着用组成物还包括溶剂,溶剂包括N-甲基吡咯烷酮、二甲基乙酰胺或环己酮。
在本发明的一实施例中,以暂时性接着用组成物的总重量计,溶剂的添加量为10wt%至60wt%。
在本发明的一实施例中,暂时性接着用组成物在波长为1064nm的激光照射下失去黏着力。
在本发明的一实施例中,暂时性接着用组成物的耐热温度为350℃至450℃。
本发明提供一种暂时性接着用溶液,包括上述暂时性接着用组成物,可采用旋转涂布方式涂布。
在本发明的一实施例中,以溶剂稀释上述暂时性接着用组成物以制备暂时性接着用溶液,以暂时性接着用组成物的总重量计,溶剂的添加量为10wt至60wt%。
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