[发明专利]一种单切换激励模式的电容层析成像方法及装置与传感器在审

专利信息
申请号: 201810415512.2 申请日: 2018-05-03
公开(公告)号: CN108896626A 公开(公告)日: 2018-11-27
发明(设计)人: 王胜南;许传龙;李健;唐鸿儒;李敏艳 申请(专利权)人: 扬州大学
主分类号: G01N27/22 分类号: G01N27/22
代理公司: 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 代理人: 许必元
地址: 225009 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 传感器 电容层析成像 激励模式 静电耦合电容 复用阵列 激励电极 检测电极 颗粒介质 双模 层析成像技术 数据采集模块 成像计算机 电容信号 调理模块 分开设计 管道截面 静电信号 开关电路 连接切换 在线测量 准确测量 两相流 中低频 电极 电容 内气 采集
【权利要求书】:

1.静电耦合电容双模复用阵列传感器,其特征是,所述传感器包括16个静电-电容双模复用弧状检测电极和8个电容激励电极;所述16个静电-电容双模复用弧状检测电极分别为S11,S12,S13,S14,S15,S16,S17,S18,S21,S22,S23,S24,S25,S26,S27,S28;S11,S12,S13,S14,S15,S16,S17,S18组成上游检测电极组,S21,S22,S23,S24,S25,S26,S27,S28组成下游检测电极组,每组8个静电-电容双模复用弧状检测电极均匀周向布置在传感器管道上,单个静电-电容双模复用弧状检测电极轴向设置,上游检测电极组的8个检测电极与下游检测电极组的8个检测电极一一相对设置构成双阵列结构;

所述8个电容激励电极为E1,E2,E3,E4,E5,E6,E7,E8;单个电容激励电极轴向设置,8个电容激励电极均匀周向布置在传感器管道上,电容激励电极与静电-电容双模复用弧状检测电极间隔设置。

2.根据权利要求1所述的静电耦合电容双模复用阵列传感器,其特征是,所述静电-电容双模复用弧状检测电极的长度小于电容激励电极长度的一半,静电-电容双模复用弧状检测电极的宽度大于电容激励电极的宽度。

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