[发明专利]激光加工方法有效
申请号: | 201810407941.5 | 申请日: | 2018-05-02 |
公开(公告)号: | CN108857086B | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 重松孝一 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | B23K26/38 | 分类号: | B23K26/38;B23K26/03;B23K26/08;B23K26/70;B23K37/04;H01L21/683;H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 加工 方法 | ||
提供激光加工方法,在将粘结膜按照每个芯片断开而制造出粘装有膜的芯片的情况下,将膜高效地断开而不使芯片损伤。一种激光加工方法,其中,该激光加工方法包含:对被分割成芯片并在背面上粘贴有粘结膜的被加工物的膜侧进行保持的步骤;在被加工物的槽中按照规定的芯片间隔对槽宽和槽宽的中心坐标进行检测的步骤;根据检测出的槽宽和槽宽的中心坐标来计算激光束照射线的步骤;根据通过激光束照射线计算步骤计算出的激光束照射线在槽的宽度方向上的偏移量来确定偏移级别的步骤;以及沿着激光束照射线对槽底部的膜照射激光束而将膜断开的激光加工步骤。
技术领域
本发明涉及激光加工方法,对于沿着正面的交叉的多个间隔道被分割成各个芯片并在背面上粘贴有粘结膜的被加工物,将激光束照射至粘结膜而将粘结膜按照各个芯片断开。
背景技术
存在如下的方法:将芯片接合用的粘结膜粘贴在已被分割成各芯片的状态的半导体晶片等被加工物的背面上,对在粘结膜的芯片之间的间隙露出的部分,从被加工物的正面侧通过间隙照射激光束,将粘结膜按照各个芯片断开而制造出粘装有粘结膜的芯片(例如,参照专利文献1。)。
专利文献1:日本特开2012-174732号公报
但是,在上述专利文献1所记载的芯片的制造方法中,在将粘结膜粘贴在已被分割成芯片的被加工物上时,会出现芯片的配置稍微发生偏移的现象(die shift:芯片移动)。在出现芯片移动的情况下,在照射激光束时激光束有可能照射到芯片而使器件破损。
因此,在将粘结膜断开时,以往公知有如下的加工方法:将激光束的照射线设定成与芯片的位置的偏移量(移动量)对应,以使得即使出现了芯片移动也不会使器件破损,使保持在保持工作台上的被加工物和照射激光束的聚光器在加工进给方向(X轴方向)上相对移动,进而例如进一步使保持被加工物的保持工作台与激光束的照射线对准而在分度进给方向(Y轴方向)上稍微移动,并进行加工。
但是,即使对激光束的照射线进行了适当设定,但当在同一加工条件下对芯片的偏移量较大的线和偏移量较小的线进行加工的情况下,有可能无法完全进行激光束的照射对由被加工物W的Y轴方向上的移动带来的激光束照射线的追随,激光束会照射在芯片上而使芯片损伤,或者相反地因被加工物的加工进给速度过低而使生产性降低。
发明内容
因此,本发明的目的在于,提供激光加工方法,在将粘结膜按照各个芯片断开而制造出在背面粘装有粘结膜的芯片的情况下,将粘结膜高效地断开而不使芯片损伤。
根据本发明,提供激光加工方法,对于沿着正面的交叉的多个间隔道被分割成各个芯片并在背面上粘贴有粘结膜从而形成有与该间隔道对应的槽的被加工物,将激光束照射至成为该槽的底部的该粘结膜,其中,该激光加工方法具有如下的步骤:保持步骤,利用保持工作台对被加工物的该粘结膜侧进行保持;槽宽检测步骤,在通过该保持步骤进行了保持的被加工物的该槽中,按照规定的芯片间隔对该槽宽和该槽宽的中心坐标进行检测;激光束照射线计算步骤,根据通过该槽宽检测步骤检测出的该槽宽和该槽宽的中心坐标来计算该激光束的照射线;级别确定步骤,根据通过该激光束照射线计算步骤计算出的该激光束照射线在该槽的宽度方向上的偏移量来确定偏移级别;以及激光加工步骤,沿着通过该激光束照射线计算步骤计算出的该激光束照射线对该槽的底部的该粘结膜照射该激光束而将该粘结膜断开,在该激光加工步骤中,按照与通过该级别确定步骤确定的该偏移级别分别对应的加工条件来实施激光加工。
优选在所述激光加工步骤中,按照与通过所述级别确定步骤确定的所述偏移级别分别对应的加工进给速度来实施激光加工。
优选在被加工物的背面的所述粘结膜的下表面粘贴有带,在所述激光加工步骤中,越过被加工物的外周缘而沿着所述槽对该带照射所述激光束而形成加工痕,该加工痕的长度与所述偏移级别对应。
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