[发明专利]一种毫米波器件在片测试结构的去嵌方法

权利要求书

1.一种毫米波器件在片测试结构的去嵌方法，其特征在于，包括如下步骤：

S01：在硅衬底上形成待测器件，并在同一衬底上同时形成待测器件相对应的开路去嵌结构和短路去嵌结构；所述待测器件、开路去嵌结构和短路去嵌结构均含有附带连线和在片测试PAD；

S02：对上述待测器件、开路去嵌结构和短路去嵌结构进行S参数测试，得到待测器件的S参数S_mea、开路去嵌结构的S参数S_open和短路去嵌结构的S参数S_short；

S03：应用电磁场仿真模型仿真一个平板电容，该平板电容用于模拟上述开路去嵌结构中所述附带连线之间产生的电容；利用与所述待测器件相同材质和制备工艺的无源器件对上述电磁场仿真模型所处的环境进行训练，得出与所处环境相关的仿真参数，利用校准后的含有仿真参数的电磁场仿真模型仿真该平板电容，得出该平板电容的Y参数Y_Cj及其附加电容值Cj；

S04：将步骤S02中测试所得的S参数转换为Y参数，分别得到待测器件的Y参数Y_mea、开路去嵌结构的Y参数Y_open和短路去嵌结构的Y参数Y_short，计算出待测器件本身的S参数，具体计算过程为：

S041：计算开路去嵌结构去除寄生电容之后的Y参数：Y’_open＝Y_open-Y_Cj；

S042：基于上述Y参数，计算Y’_mea-open＝Y_mea-Y’_open；

S043：基于上述Y参数，计算Y’_short-open＝Y_short-Y’_open；

S044：将上述得到的Y’_mea-open和Y’_short-open转换为对应的Z参数，得到Z’_mea-open和Z’_short-open；

S045：通过将Z’_mea-open和Z’_short-open相减得到待测器件本身的精确Z参数：Z’_device＝Z’_mea-open-Z’_short-open，将待测器件本身的精确Z参数转换回S参数，得到待测器件本身的精确S参数。

2.根据权利要求1所述的一种毫米波器件在片测试结构的去嵌方法，其特征在于，所述步骤S03中对电磁场仿真模型所处的环境进行训练的具体过程为：

S031：在硅衬底上制备与所述待测器件具有相同材质和制备工艺的无源器件，并在与器件同一硅衬底上分别形成该无源器件相对应的开路结构和短路结构；

S032：对上述无源器件、开路结构和短路结构进行S参数测试，得到无源器件的S参数S”_mea、开路结构的S参数S”_open和短路结构的S参数S”_short，按照开路短路去嵌法得出无源器件在低频下的精准S参数；

S033：采用上述无源器件的尺寸以及对应的精准S参数对电磁场仿真模型所处的环境进行训练，得出准确的与环境相关的仿真参数。