[发明专利]标准单元的仿真系统和方法

权利要求书

1.一种标准单元的仿真系统，其特征在于，所述标准单元的仿真系统包括扫描单元和仿真电路，其中：

所述仿真电路包括目标单元电路；

所述目标单元电路中的目标单元包括对等目标单元和非对等目标单元，所述对等目标单元包括等价结构，所述非对等目标单元包括至少两部分不等价结构，所述扫描单元对对等目标单元中等价结构的尺寸与所述非对等目标单元中各部分不等价结构的尺寸进行迭代计算，所述非对等目标单元中各部分不等价结构的初始尺寸相等；

在每一次迭代中，计算对等目标单元中等价结构的尺寸与非对等目标单元中某个部分的不等价结构的尺寸的比值，并将非对等目标单元的其他部分的不等价结构的尺寸值设置为对等目标单元中等价结构的尺寸除以通过上一次迭代计算出的所述等价结构的尺寸与相应的所述其他部分的不等价结构的尺寸的比值，并使目标单元电路的延时数据最小，记录本次迭代计算得到的所述比值并进行下一次迭代计算，直至所述等价结构的尺寸与各个非对等目标单元部分的尺寸的比值不再变化。

2.如权利要求1所述的标准单元的仿真系统，其特征在于，所述对等目标单元包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管；

所述第一晶体管和所述第二晶体管的源极均连接第一电源，所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极均连接所述第三晶体管的源极，所述第三晶体管的漏极连接所述目标单元电路的输出端；

所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管的栅极分别连接所述目标单元电路的第一输入端、第二输入端和第三输入端；

所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管均为P型场效应管晶体管。

3.如权利要求2所述的标准单元的仿真系统，其特征在于，所述非对等目标单元包括第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管；

所述第四晶体管和所述第六晶体管的源极均连接第二电源，所述第四晶体管的漏极连接所述第五晶体管的源极，所述第六晶体管的漏极和所述第五晶体管的漏极均连接目标单元电路的输出端；

所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管的栅极分别连接所述目标单元电路的第一输入端、第二输入端和第三输入端；

所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管均为N型场效应管晶体管。

4.如权利要求3所述的标准单元的仿真系统，其特征在于，所述仿真电路还包括驱动电路，所述驱动电路包括多个缓冲器，每个所述缓冲器的输出端连接一个所述目标单元的输入端，所述缓冲器的驱动强度与其所连接的所述目标单元的驱动强度相匹配。

5.如权利要求4所述的标准单元的仿真系统，其特征在于，所述缓冲器的数量为三个，分别连接所述目标单元电路的第一输入端、第二输入端和第三输入端。

6.如权利要求5所述的标准单元的仿真系统，其特征在于，所述仿真电路还包括负载电路，所述负载电路包括多个反相器，所述多个反相器的输入端连接所述目标单元电路的输出端。

7.如权利要求6所述的标准单元的仿真系统，其特征在于，所述标准单元的仿真系统还包括仿真文件，其中：所述仿真文件包括第一输入模块、第二输入模块和输出模块，所述第一输入模块对所述第一输入端和所述第二输入端进行激励，所述第二输入模块对所述第三输入端进行激励，所述输出模块输出所述目标单元电路的输出端的结果。

8.一种标准单元的仿真方法，其特征在于，包括：

扫描单元对对等目标单元中等价结构的尺寸与非对等目标单元中各部分不等价结构的尺寸进行迭代计算，所述非对等目标单元中各部分不等价结构的初始尺寸相等；

在每一次迭代中，计算对等目标单元中等价结构的尺寸与非对等目标单元中某个部分的不等价结构的尺寸的比值，并将非对等目标单元的其他部分的不等价结构的尺寸值设置为对等目标单元中等价结构的尺寸除以通过上一次迭代计算出的所述等价结构的尺寸与相应的所述其他部分的不等价结构的尺寸的比值，并使目标单元电路的延时数据最小，记录本次迭代计算得到的所述比值并进行下一次迭代计算，直至所述等价结构的尺寸与各个非对等目标单元部分的尺寸的比值不再变化。