[发明专利]数据储存系统的控制单元以及逻辑至物理映射表更新方法

说明书

本发明涉及数据储存系统的控制单元以及逻辑至物理映射表更新方法，采用至少两个缓存器。第一缓存器用以动态维护一物理至逻辑映射表(F2H)。该物理至逻辑映射表记录一目标区块中一使用者数据的一物理地址至一逻辑地址的一映射关系。该控制单元对该映射关系进行反向转换以取得一反向记录，并依据该反向记录的一逻辑地址选取一目标逻辑至物理映射子表。第二缓存器用以缓存读取自一主机端缓存器(HMB)的该目标逻辑至物理映射子表。该控制单元依据该反向记录对该目标逻辑至物理映射子表进行更新。

技术领域

本发明有关于数据储存系统以及非挥发式存储器的操作方法。

背景技术

非挥发式存储器有多种形式─例如，快闪存储器(flash memory)、磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive RAM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric RAM)、电阻式随机存取存储器(Resistive RAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(Spin Transfer Torque-RAM，STT-RAM)…等，用于长时间数据保存。

如何以高效率、低成本方式，操作非挥发式存储器实现高可靠度数据储存，为本技术领域一项重要课题。

发明内容

本发明揭示主机端缓存架构的非挥发式存储器控制技术。

根据本发明的一种实施方式实现的一控制单元，采用至少两个缓存器，可用于一数据储存系统。第一缓存器用以动态维护一物理至逻辑映射表(F2H)。该物理至逻辑映射表记录一目标区块中一使用者数据的一物理地址至一逻辑地址的一映射关系。该控制单元对该映射关系进行反向转换以取得一反向记录，并依据该反向记录的一逻辑地址选取一目标逻辑至物理映射子表。第二缓存器用以缓存读取自一主机端缓存器(HMB)的该目标逻辑至物理映射子表。该控制单元依据该反向记录对该目标逻辑至物理映射子表进行更新。

根据本发明一种实施方式实现的逻辑至物理映射表(H2F)更新方法包括：维护一物理至逻辑映射表(F2H)，该物理至逻辑映射表记录一目标区块中一使用者数据的一物理地址至一逻辑地址的一映射关系；对该映射关系进行反向转换以取得一反向记录；依据该反向记录的一逻辑地址选取一目标逻辑至物理映射子表；以及自一主机端缓存器(HMB)读取该目标逻辑至物理映射子表并依据该反向记录对该目标逻辑至物理映射子表进行更新。

下文特举实施例，并配合附图，详细说明本发明内容。

附图说明

图1图解根据本发明一种实施方式所实现的一种数据储存系统，除了包括快闪存储器102以及控制单元104组成的数据储存装置，更涉及主机106提供的主机端缓存器HMB(host memory buffer之简写)；

图2图解重新排序(Reordering)程序的一说明例；

图3为流程图，说明采用主机端缓存(HMB)架构的逻辑至物理映射表(H2F) 的更新方法的详细步骤；

图4为小表(F2H)封存至大表(H2F)的各种程序的进行时序；

图5A以双通道CH0以及CH1为例子，图解快闪存储器102架构；且

图5B为图5A快闪存储器102架构的存取时序图。

符号说明

102～快闪存储器；

104～控制单元；

106～主机；

108～控制器；

110、112～(装置端)存储器、(主机端)存储器；

BLK#～主动区块/目的区块编号；

BLK#100～主动区块/目的区块；