[发明专利]一种交联电缆热熔接头及其制作方法在审
申请号: | 201810373912.1 | 申请日: | 2018-04-24 |
公开(公告)号: | CN108683149A | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 胡飞;强卫;刘夏;黄成龙;张俊杰;夏云杰;谢德良 | 申请(专利权)人: | 长园电力技术有限公司 |
主分类号: | H02G15/18 | 分类号: | H02G15/18;H02G15/188;H02G1/14 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 俞梁清 |
地址: | 519000 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连接组 绝缘体 交联电缆 热熔接头 护套组 线缆 内半导电层 保护层 熔接体 电缆 导电性 绝缘体包裹 连接保护层 外半导电层 线缆绝缘层 导体 半导电层 电场应力 电弧击穿 电缆接头 绝缘屏蔽 连接导体 连接电缆 连接线缆 内部导体 屏蔽漆层 双层防护 现场制作 屏蔽层 铜网层 击穿 镀锌 熔接 制作 恢复 | ||
1.一种交联电缆热熔接头,用于连接电缆的保护层(1)以及置于保护层(1)内的线缆(2),所述保护层(1)与线缆(2)之间设有外护套层、铠装层和内护套层,所述线缆(2)内设有铜屏蔽层(10)和线缆外半导电层(7)、线缆绝缘层(21)、导体屏蔽层(11)及线缆导体(12),其特征在于:包括用于连接线缆(2)的连接组(3)和用于连接保护层(1)的护套组(4),所述护套组(4)包裹在连接组(3)外,所述连接组(3)包括用于熔接线缆(2)内部导体的熔接体(31)、包裹在熔接体(31)及导体外的内半导电层(32)以及绝缘体(33),所述内半导电层(32)连接导体屏蔽层(11),所述绝缘体(33)包裹在内半导电层(32)外,所述绝缘体(33)外与线缆绝缘层(21)连接。
2.根据权利要求1所述的一种交联电缆热熔接头,其特征在于:所述内半导电层(32)包括包裹在熔接体(31)及熔接体(31)外的半导电包带(321)和设置在半导电包带(321)外的半导电屏蔽带(322),所述半导电屏蔽带(322)与导体屏蔽层(11)连接。
3.根据权利要求1所述的一种交联电缆热熔接头,其特征在于:所述护套组(4)与连接组(3)之间缠绕有镀锌铜网层(5),所述镀锌铜网层(5)与铜屏蔽层(10)连接,所述绝缘体(33)外还涂覆有屏蔽漆层(6),所述屏蔽漆层(6)外设置有接头外半导电层(13),所述接头外半导电层(13)与线缆外半导电层(7)连接。
4.根据权利要求3所述的一种交联电缆热熔接头,其特征在于:所述护套组(4)设有与保护层(1)内铠装层相连接的镀锡铜编制带层(8)以及缠卷在镀锡铜编制带层(8)外的防水胶带层(9),所述防水胶带层(9)与保护层(1)的外护套相连接,所述防水胶带层(9)外套装有热缩管。
5.一种根据权利要求1-4任一项所述的一种交联电缆热熔接头制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、预处理电缆:去除两端线缆(2)的保护层(1),露出线缆(2);剥开线缆(2)的铜屏蔽层(10)和线缆外半导电层(7);剥离线缆(2)并露出线缆绝缘层(21)、导体屏蔽层(11)及线缆导体(12);
步骤2、连接线缆导体(12):测量两端电缆相差距离,另取一段匹配两端电缆相差距离的熔接体(31),采用热熔接处理熔接体(31)的两端,使得熔接体(31)两端分别熔接两端线缆(2)的线缆导体(12);
步骤3、连接导体屏蔽层(11):在线缆导体(12)和熔接体(31)上均裹置内半导电层(32),内半导电层(32)的两端分别连接两端线缆(2)的导体屏蔽层(11);
步骤4、制作绝缘体(33):在内半导电层(32)外缠卷聚乙烯薄膜,聚乙烯薄膜缠卷在两端线缆(2)的线缆外半导电层(7)之间,并热熔处理聚乙烯薄膜得到绝缘体(33);
步骤5、恢复绝缘屏蔽层:在步骤4得到的绝缘体(33)外涂覆屏蔽漆,风干后得到屏蔽漆层(6),并在屏蔽漆层(6)外缠卷镀锌铜网,得到镀锌铜网层(5),镀锌铜网层(5)连接两端电缆的铜屏蔽层(10);
步骤6、恢复保护层(1):将步骤5处理后的线缆(2)进行缠卷防水胶带、镀锡铜编制带和处理热缩管,完成电缆头的对接工作。
6.根据权利要求5所述的一种交联电缆热熔接头制作方法,其特征在于,在步骤1和步骤2之间还有以下操作:在任一线缆(2)上套装与保护层(1)大小相匹配的热缩管。
7.根据权利要求5所述的一种交联电缆热熔接头制作方法,其特征在于,步骤3具体操作如下:
步骤3.1、打磨处理线缆导体(12)和熔接体(31)上表面的氧化层,并清洁熔接体(31)、导体屏蔽层(11)和线缆导体(12);
步骤3.2、在线缆导体(12)和熔接体(31)采用半重叠的缠绕方式进行缠卷半导电包带(321);
步骤3.3、在半导电包带(321)外继续缠卷半导电屏蔽带(322),并缠卷在两端电缆的导体屏蔽层(11)上,且缠卷深度为10-20mm,最终得到内半导电层(32)。
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