[发明专利]一种强吸收圆二色性的单层三折孔纳米薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种强吸收圆二色性的单层三折孔纳米薄膜，其特征在于：该单层三折孔纳米薄膜由多个相同的纳米单元(1)上下、左右组合构成，且呈单层手性结构；

所述纳米单元(1)的横截面为正方形，所述纳米单元(1)上开设有三折孔(2)；

所述三折孔(2)具有手性特征，且所述三折孔(2)的长度方向与正方形的边长平行；

所述纳米单元(1)沿P_x、P_y方向的边长均为620nm，P_x为纳米单元的长，P_y为纳米单元的宽，所述纳米单元(1)的高度t为60nm～100nm；

所述三折孔(2)由一矩形孔(25)、第一三角形孔(21)、第二三角形孔(22)、第三三角形孔(23)和第四三角形孔(24)组成；

所述第一三角形孔(21)与第二三角形孔(22)大小相同，所述第三三角形孔(23)与第四三角形孔(24)大小相同；

所述第三三角形孔(23)和第四三角形孔(24)的底边分别与矩形孔(25)的两个宽边相切，且所述第三三角形孔(23)和第四三角形孔(24)的底边与矩形孔(25)的宽边相等；

所述第一三角形孔(21)和第二三角形孔(22)的底边分别与矩形孔(25)的两个长边相切，且第一三角形孔(21)与第三三角形孔(23)相邻，第二三角形孔(22)与第四三角形孔(24)相邻；

所述矩形孔(25)的长边方向与P_x方向之间的夹角α为0°～180°，所述矩形孔(25)的长度l为520nm，宽度w为200nm；

所述第一三角形孔(21)和第二三角形孔(22)的底边d₁、d₂均为150nm，孔高h₁、h₂均为100nm；

所述第三三角形孔(23)和第四三角形孔(24)的底边d₃、d₄均为200nm，孔高h₃和h₄均为75nm。

2.一种权利要求1所述单层三折孔纳米薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、甩胶后烘：用甩胶机在基底上甩电子束负胶SU-8后，放置在热板上烘烤；

步骤二、曝光：对步骤一烘烤后的基底，用图形发生器设计如权利要求1所述单层三折孔纳米薄膜图形，并用电子显微镜曝光图形，得到曝光后的基底；

步骤三、显定影后烘：室温条件下，将步骤二曝光后的基底先放入显影液中浸泡显影，再放入定影液中浸泡，最后放置在热板上烘烤；

步骤四、真空镀膜：将步骤三烘烤后的基底放入电子束真空蒸发镀膜机中，先抽真空，再依次蒸镀钛和金，最后冷却10min～20min后取出；

步骤五、溶胶后吹干：先将步骤四镀膜后的基底置于去胶液中，直至电子束负胶SU-8完全溶解，最后进行吹干，得到单层三折孔纳米薄膜。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一之前还包括基底清洗步骤；

所述基底清洗步骤为：将基底放入洗涤液中清洗，再依次用去离子水、丙酮、酒精、去离子水超声清洗，最后吹干。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述基底为ITO玻璃，所述ITO玻璃的透射率大于83％。

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一中甩电子束负胶SU-8的厚度为200nm。

6.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤四中蒸镀钛的厚度为10nm，蒸镀金的厚度为80nm。