[发明专利]具有高热容量的装置和用于制造该装置的方法在审
申请号: | 201810362279.6 | 申请日: | 2018-04-20 |
公开(公告)号: | CN108726467A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | B·戈勒;M·施泰尔特 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 壳体结构 凹部 高热容量 输出信号 热容量 制造 施加 | ||
1.一种装置(10、20、30、40),具有:
衬底(11),其中,在所述衬底(11)的第一侧(11A)上布置有MEMS结构组(12),所述MEMS结构组的输出信号在温度变化时变化,
布置在所述衬底(11)的所述第一侧(11A)上并且具有凹部(14)的壳体结构(13),所述MEMS结构组(12)布置在所述凹部中;以及
施加在所述壳体结构(13)处的层(15),所述层提高所述装置(10、20、30、40)的热容量。
2.根据权利要求1所述的装置(10、20、30、40),其中,所述层(15)所具有的热容量大于所述壳体结构(13)的热容量。
3.根据权利要求1或2所述的装置(10、20、30、40),其中,所述层(15)的热容量是所述壳体结构(13)的热容量的至少一倍半,或者至少两倍。
4.根据前述权利要求中任一项所述的装置(10、20、30、40),其中,所述层(15)具有小于或小于或小于的热导率。
5.根据前述权利要求中任一项所述的装置(10、20、30、40),其中,所述层(15)被构造为浇注到所述壳体结构(13)处的灌封料,或者其中,所述层(15)被构造为布置在所述壳体结构(13)处的成形件。
6.根据前述权利要求中任一项所述的装置(10、20、30、40),其中,所述层(15)具有来自由硅酸盐、聚酰亚胺或环氧化物构成的组中的至少一个组分。
7.根据前述权利要求中任一项所述的装置(10、20、30、40),其中,所述层(15)布置在所述壳体结构(13)的至少一个外侧(19、21、22)处。
8.根据前述权利要求中任一项所述的装置(10、20、30、40),其中,所述层(15)完全覆盖所述壳体结构(13)的所有外侧(19、21、22)。
9.根据前述权利要求中任一项所述的装置(10、20、30、40),其中,所述层(15)布置在所述壳体结构(13)的至少一个内侧(31、32、33)上。
10.根据前述权利要求中任一项所述的装置(10、20、30、40),其中,所述层(15)完全覆盖所述壳体结构(13)的所有内侧(31、32、33)。
11.根据前述权利要求中任一项所述的装置(10、20、30、40),其中,所述层(15)包含磁性颗粒。
12.根据前述权利要求中任一项所述的装置(10、20、30、40),其中,所述层(15)包含金属颗粒。
13.根据前述权利要求中任一项所述的装置(10、20、30、40),其中,所述MEMS结构组(12)是MEMS麦克风。
14.一种具有根据前述权利要求中任一项所述的多个装置(10、20、30、40)的晶圆(51)。
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