[发明专利]一种复合荧光纳米纤维膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810359252.1 申请日: 2018-04-20
公开(公告)号: CN108589046B 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 郁菁;周航;王明辉;雷风采;杨茂森;魏义胜 申请(专利权)人: 山东师范大学
主分类号: D04H1/728 分类号: D04H1/728;D01D5/00
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 郑平
地址: 250358*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 制备 卤化 衬底 纤维膜 复合荧光纳米 纳米纤维膜 前躯体溶液 完全溶解 注射针头 注射泵 导电 聚苯乙烯 蓝色发光芯片 恒定 法制备纳米 前驱体溶液 荧光纤维膜 恶劣环境 发光色域 复合荧光 聚乙烯醇 施加电压 有机溶剂 聚合物 显色性 电纺 纺丝 显微 制造
【说明书】:

发明涉及一种复合荧光纳米纤维膜的制备方法,属于荧光纤维膜的制备领域。所述方法包括如下步骤:1)前躯体溶液制备:首先将卤化铅加入有机溶剂中,待卤化铅完全溶解后,继续加入卤化铯,待卤化铯完全溶解后再加入聚苯乙烯或聚乙烯醇,得到纺丝前躯体溶液;2)聚合物电纺法制备纳米纤维膜:将步骤1)中的前驱体溶液置于注射泵中,在注射针头下方放置导电衬底,在导电衬底与注射针头之间施加电压,以恒定速度推进注射泵,在衬底上得到纳米纤维膜,将纳米纤维膜从衬底上分离,即得。发明制备的复合荧光显微具有发光色域广FWHMs窄的特点,且在恶劣环境下具有优异的稳定性,将本发明制备的FNM/CPX集成到蓝色发光芯片中制造的WLED具有优异的显色性和耐久性。

技术领域

本发明属于荧光材料的制备领域,具体涉及一种复合荧光纳米纤维膜的制备方法。

背景技术

近几年来,太阳能电池的快速发展给光伏产业带来了巨大变革,钙钛矿材料成了材料科学领域非常有吸引力的材料新星,并在光电探测器、发光二极管、光催化、激光器件等领域得到了广泛应用,其中,全无机卤化物钙钛矿基材料(如CsPbX3,X=Cl、Br、I)已被证明在发光器件的应用中具有良好的前景。

荧光纳米纤维膜(FNMs)与CsPbX3的聚合物电纺(E-spun)结构在过去几年中引起了越来越多的关注。E-spun通常被认为是制备大规模纳米纤维膜(NMs)的最简单方法之一,非常适合商业化应用。在2016年,李等人(DOI:10.1021/acs.jpclett.6b02045)首次用E-spun法准备了一种由CsPbBr3量子点(QDs)包裹的单片聚苯乙烯(PS)纤维膜。随后,他们将其应用在了荧光共振能量转移装置,生物分子传感器,pH传感器和金属离子检测器,同年,Wang等人(DOI:10.1039/c7cc01152k)也通过相同的方式获得了杂化的CsPbX3的PSNMs,并成功地将它们组装成WLED,不仅具有更好的光学性能,而且具有长期的稳定性。虽然这些材料表现出了优异的性能,但其制备方法过于复杂:首先用化学方法合成CsPbX3量子点,然后将它们混合成前驱体溶液,最后通过E-Spun形成荧光纳米纤维膜,而且制备过程需要在高温环境下进行,甚至还需要用到高毒性的溶剂,且后续的纯化过程也相当耗时,因此,有必要研究一种新的荧光纳米纤维膜的制备方法。

发明内容

针对上述现有技术中存在的问题,本发明旨在提供一种复合荧光纳米纤维膜的制备方法。通过E-spun法制备基于CsPbX3的复合荧光纳米纤维膜(FNMs/CPX,X=Cl、Br或I),与传统的方法相比,本发明的制备方法更加简单,与单纯的CsPbX3颗粒相比,本发明制备的FNMs/CPX具有发光色域广(405nm~673nm),FWHMs(16nm~35nm)窄等特点,且在恶劣环境下(如潮湿和高温条件下)具有更加优异的稳定性,将本发明制备的FNM/CPX集成到蓝色发光芯片中制造的WLED具有优异的显色性和耐久性。

本发明的目的之一是提供一种复合荧光纳米纤维膜的制备方法。

本发明的目的之二是提供荧光纳米纤维膜的制备方法的应用。

为实现上述发明目的,具体的,本发明公开了下述技术方案:

首先,本发明公开了一种复合荧光纳米纤维膜的制备方法,所述方法包括如下步骤:

1)前躯体溶液制备:首先将卤化铅加入有机溶剂中,待卤化铅完全溶解后,继续加入卤化铯,待卤化铯完全溶解后再加入聚苯乙烯或聚乙烯醇,得到纺丝前躯体溶液;

2)聚合物电纺法制备纳米纤维膜:将步骤1)中的前驱体溶液置于注射泵中,在注射针头下方放置导电衬底,在导电衬底与注射针头之间施加电压,以恒定速度推进注射泵,在衬底上得到纳米纤维膜,将纳米纤维膜从衬底上分离,即得。

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