[发明专利]位移暂存器及其驱动方法

说明书

本发明公开了一种位移暂存器及其驱动方法。该位移暂存器包括一位移电路及一放电电路组件。该放电电路组件包括一第一放电电路及一第二放电电路。该位移电路电性连接于该放电电路组件的该第一放电电路及该第二放电电路，该驱动方法包括以下步骤。以一第一电压信号，周期性地驱动该第一放电电路。该第一电压信号输入至该第一放电电路的一第一电压输入路径。以一第二电压信号，周期性地驱动该第二放电电路。该第二电压信号输入至该第一放电电路的一第二电压输入路径。该第二电压输入路径的长度大于该第一电压输入路径的长度。该第二电压信号的高电压期间的时间长度小于该第一电压信号的高电压期间的时间长度。

技术领域

本发明是有关于一种暂存器及其驱动方法，且特别是有关于一种位移暂存器及其驱动方法。

背景技术

近年来，薄膜晶体管面板技术不断地进步，例如系统整合式玻璃面板技术(System-on-glass,SOG)是目前发展的技术之一。系统整合式玻璃面板技术可采用非晶硅(amorphous silicon,a-Si)制程与低温多晶硅(Low Temperature poly-silicon,LTPS)制程来实现。低温多晶硅晶体管与非晶硅晶体管的最大区别在于其电性与制程繁简的差异。低温多晶硅晶体管拥有较高的载子移动率，然而其制程上却较繁复；而非晶硅晶体管的制程较简单且成熟，因此在成本上具有不错的竞争优势。

根据研究人员的实验，使用非晶硅晶体管所组成的位移暂存器，数个非晶硅晶体管会有临界电压位移(Shift)的不稳定现象。随着使用时间的增加，临界电压位移的程度会严重影响位移暂存器的正常运作，甚至最后会使位移暂存器失效。研究人员目前正致力于改善上述现象，以增加位移暂存器的可靠度。

发明内容

本发明是有关于一种位移暂存器及其驱动方法，其将电压信号的周期拉长，使高电压期间能够维持于足够的时间，以对晶体管发挥自动修复的功能。并且，在电压输入路径换层数或长度不同时，适应性地调整高电压期间的时间长度，以延长晶体管的耐受能力，使得位移暂存器的可靠度能够改善。

根据本发明的第一方面，提出一种位移暂存器的驱动方法。该位移暂存器包括一位移电路及一放电电路组件。该放电电路组件包括一第一放电电路及一第二放电电路。该位移电路电性连接于该放电电路组件的该第一放电电路及该第二放电电路，该驱动方法包括以下步骤。以一第一电压信号，周期性地驱动该第一放电电路。该第一电压信号输入至该第一放电电路的一第一电压输入路径。以一第二电压信号，周期性地驱动该第二放电电路。该第二电压信号输入至该第一放电电路的一第二电压输入路径。该第二电压输入路径的长度大于该第一电压输入路径的长度。该第二电压信号的高电压期间的时间长度小于该第一电压信号的高电压期间的时间长度。

根据本发明的第一方面，提出一种位移暂存器。该位移暂存器包括一位移电路及一放电电路组件。该放电电路组件包括一第一放电电路及一第二放电电路。该第一放电电路电性连接该位移电路。该第一放电电路具有一第一电压输入路径。一第一电压信号周期性地输入至该第一电压输入路径及。该第二放电电路电性连接该位移电路。该第二放电电路具有一第二电压输入路径。该第二电压输入路径的长度大于该第一电压输入路径的长度。一第二电压信号周期性地输入至该第二电压输入路径。该第二电压信号的高电压期间的时间长度小于该第一电压信号的高电压期间的时间长度。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下：

附图说明

图1绘示根据本发明一实施例的位移暂存器的示意图。

图2绘示放电电路组件的示意图。

图3A绘示第一电压信号的曲线及第二电压信号的曲线。

图3B绘示根据一实施例的位移暂存器100的驱动方法的流程图。

图4绘示一非晶硅晶体管被分别以不同时间长度施加正25伏特的栅极电压的特性曲线。