[发明专利]插接端子及电子设备、插接引脚的加工工艺

说明书

本公开是关于一种插接端子及电子设备、插接引脚的加工工艺，其中插接端子包括插接引脚，所述插接引脚包括基材、位于所述基材上的金属复合镀膜、位于所述金属复合镀膜上远离所述基材一侧的铑钯镀膜。本公开中插接引脚的表面形成由金属复合镀膜和铑钯镀膜组成的抗腐蚀层，铑钯镀膜的抗腐蚀能力和耐老化能力优于传统的铑钌镀膜，有利于延长使用周期，延缓插接引脚上抗腐蚀层的老化速度，可以降低电镀成本。

技术领域

本公开涉及终端技术领域，尤其涉及一种插接端子及电子设备、插接引脚的加工工艺。

背景技术

当前，电子设备上通常都会设置一个或者多个功能接口，例如，充电接口、耳机接口或者传输接口等，每一接口可以通过数据线与外部设备之间实现连连接，从而进一步实现电子设备的对应功能。

发明内容

本公开提供一种插接端子及电子设备、插接引脚的加工工艺，以解决相关技术中的不足。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种插接端子，包括插接引脚，所述插接引脚包括基材、位于所述基材上的金属复合镀膜、位于所述金属复合镀膜上远离所述基材一侧的铑钯镀膜。

可选的，所述基材包括导电部、焊接部和连接所述导电部与所述焊接部的过渡部；其中，所述铑钯镀膜包裹所述金属复合镀膜上对应于所述导电部和所述过渡部设置的区域。

可选的，所述金属复合镀膜包括包裹所述基材的填平层、远离所述基材的结合层和位于所述结合层与所述填平层之间的密封层；其中，所述结合层的一部分与所述铑钯镀膜接触。

可选的，所述基材包括导电部，所述导电部包括靠近所述插接端子插接表面的导电面；其中，所述密封层上对应于所述导电面设置的区域厚度大于所述密封层上其他区域的厚度。

可选的，所述基材包括导电部、焊接部和连接所述导电部与所述焊接部的过渡部，所述金属复合镀膜还包括位于所述填平层上的打底层；

其中，所述打底层上对应于所述导电部及所述过渡部设置的区域与所述密封层接触，所述打底层上对应于所述焊接部设置的区域与所述结合层接触。

可选的，所述填平层包括金属镍材料。

可选的，所述密封层包括钯镍混合物。

可选的，所述结合层包括金属金材料。

可选的，所述打底层包括金属镍材料。

可选的，所述插接端子包括type-c端子或者Micro USB端子。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种电子设备，包括如上述任一项实施例所述的插接端子。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种插接引脚的加工工艺，包括：

成型基材；

在所述基材上电镀金属复合镀膜；

在所述金属复合镀膜上远离所述基材的一侧电镀铑钯镀膜。

可选的，所述基材包括导电部、焊接部和连接所述导电部与所述焊接部的过渡部，所述在所述基材上电镀金属复合镀膜，包括：

在所述基材的表面浸镀形成填平层；

在所述填平层上对应于所述导电部和所述过渡部设置的区域浸镀形成密封层；

在所述密封层上对应于所述导电部和所述过渡部设置的区域、所述填平层上对应于所述焊接部设置的区域浸镀形成结合层。

可选的，还包括：

在所述填平层上浸镀形成打底层；