[发明专利]插接端子及电子设备、插接引脚的加工工艺

权利要求书

1.一种插接端子，其特征在于，包括插接引脚，所述插接引脚包括基材、位于所述基材上的金属复合镀膜、位于所述金属复合镀膜上远离所述基材一侧的铑钯镀膜。

2.根据权利要求1所述的插接端子，其特征在于，所述基材包括导电部、焊接部和连接所述导电部与所述焊接部的过渡部；其中，所述铑钯镀膜包裹所述金属复合镀膜上对应于所述导电部和所述过渡部设置的区域。

3.根据权利要求1所述的插接端子，其特征在于，所述金属复合镀膜包括包裹所述基材的填平层、远离所述基材的结合层和位于所述结合层与所述填平层之间的密封层；其中，所述结合层的一部分与所述铑钯镀膜接触。

4.根据权利要求3所述的插接端子，其特征在于，所述基材包括导电部，所述导电部包括靠近所述插接端子插接表面的导电面；其中，所述密封层上对应于所述导电面设置的区域厚度大于所述密封层上其他区域的厚度。

5.根据权利要求3所述的插接端子，其特征在于，所述基材包括导电部、焊接部和连接所述导电部与所述焊接部的过渡部，所述金属复合镀膜还包括位于所述填平层上的打底层；

其中，所述打底层上对应于所述导电部及所述过渡部设置的区域与所述密封层接触，所述打底层上对应于所述焊接部设置的区域与所述结合层接触。

6.根据权利要求3所述的插接端子，其特征在于，所述填平层包括金属镍材料。

7.根据权利要求3所述的插接端子，其特征在于，所述密封层包括钯镍混合物。

8.根据权利要求3所述的插接端子，其特征在于，所述结合层包括金属金材料。

9.根据权利要求5所述的插接端子，其特征在于，所述打底层包括金属镍材料。

10.根据权利要求1所述的插接端子，其特征在于，所述插接端子包括type-c端子或者Micro USB端子。

11.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-10中任一项所述的插接端子。

12.一种插接引脚的加工工艺，其特征在于，包括：

成型基材；

在所述基材上电镀金属复合镀膜；

在所述金属复合镀膜上远离所述基材的一侧电镀铑钯镀膜。

13.根据权利要求12所述的加工工艺，其特征在于，所述基材包括导电部、焊接部和连接所述导电部与所述焊接部的过渡部，所述在所述基材上电镀金属复合镀膜，包括：

在所述基材的表面浸镀形成填平层；

在所述填平层上对应于所述导电部和所述过渡部设置的区域浸镀形成密封层；

在所述密封层上对应于所述导电部和所述过渡部设置的区域、所述填平层上对应于所述焊接部设置的区域浸镀形成结合层。

14.根据权利要求13所述的加工工艺，其特征在于，还包括：

在所述填平层上浸镀形成打底层；

其中，所述打底层上对应于所述导电部及所述过渡部设置的区域与所述密封层接触，所述打底层上对应于所述焊接部设置的区域与所述结合层接触。

15.根据权利要求13所述的加工工艺，其特征在于，所述导电部包括靠近所述插接端子插接表面的导电面，所述在所述填平层上对应于所述导电部和所述过渡部设置的区域浸镀密封层，包括：

采用刷镀工艺加厚所述密封层上对应于所述导电面设置的区域。

16.根据权利要求12所述的加工工艺，其特征在于，所述基材包括导电部、焊接部和连接所述导电部和所述焊接部的过渡部，所述在所述金属复合镀膜上远离所述基材的一侧电镀铑钯镀膜，包括：

在所述金属复合镀膜上对应于所述导电部和所述过渡部的区域浸镀形成所述铑钯镀膜。