[发明专利]一种用于双面发电双玻光伏组件的散射镀膜玻璃背板在审
申请号: | 201810348779.4 | 申请日: | 2018-04-18 |
公开(公告)号: | CN110400849A | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 倪志龙;张敏;王彪 | 申请(专利权)人: | 上海西源新能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/048;H01L31/049 |
代理公司: | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人: | 崔佳佳;徐迅 |
地址: | 201417 上海市奉*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜玻璃 散射 双面发电 背板 双玻光伏组件 入射太阳光 凹陷结构 表面结构 高反射层 双玻组件 三维 组装 | ||
本发明涉及一种用于双面发电双玻光伏组件的散射镀膜玻璃背板。所述散射镀膜玻璃背板具有特定表面结构(三维凹陷结构+高反射层),使用所述散射镀膜玻璃背板组装的双面发电双玻组件可实现对入射太阳光的充分利用。
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域,具体地涉及一种用于双面发电双玻光伏组件的散射镀膜玻璃背板。
背景技术
太阳能光伏发电具有无污染、可持续、总量大、分布广、应用形式多样等优点,受到世界各国的高度重视。目前为止人们已经发明了多种光伏组件。其中,双面发电的双玻组件因为可以通过电池片背面接收地面反射回来的太阳光参与发电,其实际发电效率通常比单面发电组件可以高出5-25%左右。
现有的双面发电的双玻组件,其背板材料有2种,一种是全透明无镀膜的玻璃钢化片作为背板材料。这种材料因为全透明,虽然可以通过双面发电的电池片背面接收地面反射的太阳光,但是,对于组件中电池片间隙位置透过的正面入射的太阳光却无法利用,影响了组件的整体发电功率。另一种是镀制了平滑的网格状反射层的镀膜钢化玻璃作为背板材料(实用新型专利CN 205542820U)。这种网格状反射层可以将组件中电池片间隙位置透过的正面入射的太阳光重新反射回组件的盖板玻璃表面,然后从盖板玻璃表面再次反射到组件的电池片正面参与发电,因此,可以再次增加组件的整体发电功率。但是,这种网格状反射层通常被放置于背板玻璃和EVA胶膜之间,反射层距离电池片背面距离很近,同时反射层表面光滑平整,对入射太阳光的散射角度小。因此,大部分入射太阳光都被重新反射回光伏组件的正面玻璃盖板的表面,很少会被直接散射到电池片背面参与发电。由于正面玻璃盖板的表面反射率在实际条件下约为~10-20%,因此,电池片间隙位置如果占组件面积为~10%,那么这~10%的正面入射太阳光重新反射回组件的正面盖板玻璃,然后从盖板玻璃表面再次反射到组件的电池片正面的比例仅是正面入射太阳光总量的1-2%,也即是大约只能提升约1-2%的组件实际发电功率。这与电池片间隙位置占组件面积约为~10%的比例差距较大,存在明显的入射太阳光利用损失。
因此,如果双面发电双玻组件的玻璃背板能将电池片间隙位置入射太阳光直接散射到双面电池片的背面参与发电,将极大的提升双面发电双玻组件的实际发电效果。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有特定表面结构(三维凹陷结构+高反射层)的玻璃背板,以期显著提高使用其组装的双面发电双玻组件对入射太阳光的利用效率。
本发明的第一方面,提供了一种散射镀膜玻璃背板,所述玻璃背板包括:
1)玻璃基板,所述玻璃基板的一个表面具有三维凹陷结构层;和
2)散射镀膜层,所述散射镀膜层以周期性网状结构结合于所述玻璃基板的三维凹陷结构层上。
在另一优选例中,所述三维凹陷结构层位于所述玻璃基板的下表面。
在另一优选例中,所述玻璃基板为钢化玻璃。
在另一优选例中,所述三维凹陷结构层是通过选自下组的工艺在所述玻璃基板上形成的:压延、刻蚀、或其组合。
在另一优选例中,所述玻璃背板中,所述散射镀膜层填充于所述三维凹陷结构层的三维凹陷结构中形成凸起状的散射镀膜层。
在另一优选例中,所述散射镀膜层是通过选自下组的工艺结合于所述三维凹陷结构层上的:淋涂、喷涂、辊涂、丝网印刷、磁控溅射、热蒸发、气相沉积、或其组合。
在另一优选例中,所述三维凹陷结构层的厚度是所述玻璃基板厚度的0.1-50%。
在另一优选例中,所述三维凹陷结构层的厚度是所述玻璃基板厚度的0.3-40%,较佳地0.5-30%。
在另一优选例中,所述玻璃基板的厚度为1-3mm,较佳地1.5-2.5mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的