[发明专利]压电器件、液体喷出头、液体喷出装置

权利要求书

1.一种压电器件，具备：

压力室；

压电元件；以及

振动板，其被配置于所述压力室与所述压电元件之间，

所述振动板具有泊松比根据晶面内的方向而有所不同的各向异性的单晶硅基材的晶面，

在所述振动板中于俯视观察时与所述压力室重叠的振动区域中，内含所述振动区域的最小的长方形的短轴方向上的所述振动板的泊松比被包含在，超过所述晶面内的泊松比的平均值且在最大值以下的范围内。

2.一种压电器件，具备：

压力室；

压电元件；以及

振动板，其被配置于所述压力室与所述压电元件之间，

所述振动板具有泊松比根据晶面内的方向而有所不同的各向异性的单晶硅基材的晶面，

所述单晶硅基材是晶面为{100}面的基材，

在所述振动板中于俯视观察时与所述压力室重叠的振动区域中，内含所述振动区域的最小的长方形的短轴方向上的所述振动板的泊松比被包含在，超过所述晶面内的泊松比的0.18065且在最大值以下的范围内。

3.如权利要求2所述的压电器件，其中，

所述短轴方向上的所述振动板的泊松比被包含在，所述晶面内的泊松比的0.2720以上且最大值以下的范围内。

4.一种压电器件，具备：

压力室；

压电元件；以及

振动板，其被配置于所述压力室与所述压电元件之间，

所述振动板具有泊松比根据晶面内的方向而有所不同的各向异性的单晶硅基材的晶面，

所述单晶硅基材是晶面为{100}面的基材，

在所述振动板中于俯视观察时与所述压力室重叠的振动区域中，内含所述振动区域的最小的长方形的短轴方向上的所述振动板的泊松比的取向被包含在，相对于所述晶面内的泊松比成为最大值的晶体取向而偏移±23度的取向的范围内。

5.如权利要求4所述的压电器件，其中，

所述短轴方向上的所述振动板的泊松比的取向被包含在，相对于所述晶面内的泊松比成为最大值的晶体取向而偏移±6度的取向的范围内。

6.一种压电器件，具备：

压力室；

压电元件；以及

振动板，其被配置于所述压力室与所述压电元件之间，

所述振动板具有泊松比根据晶面内的方向而有所不同的各向异性的单晶硅基材的晶面，

所述单晶硅基材是晶面为{110}面的基材，

在所述振动板中于俯视观察时与所述压力室重叠的振动区域中，内含所述振动区域的最小的长方形的短轴方向上的泊松比被包含在，超过所述晶面内的泊松比的0.24127且在最大值以下的范围内。

7.如权利要求6所述的压电器件，其中，

所述短轴方向上的泊松比被包含在，所述晶面内的泊松比的0.3528以上且最大值以下的范围内。

8.一种压电器件，具备：

压力室；

压电元件；以及

振动板，其被配置于所述压力室与所述压电元件之间，

所述振动板具有泊松比根据晶面内的方向而有所不同的各向异性的单晶硅基材的晶面，

所述单晶硅基材是晶面为(110)面的基材，

在所述振动板中于俯视观察时与所述压力室重叠的振动区域中，内含所述振动区域的最小的长方形的短轴方向上的所述振动板的泊松比的取向被包含在，相对于所述晶面内的晶体取向[1-10]而偏移±26度的取向的范围内。

9.如权利要求8所述的压电器件，其中，

所述短轴方向上的所述振动板的泊松比的取向被包含在，相对于所述晶面内的晶体取向[1-10]而偏移±7度的取向的范围内。