[发明专利]一种在云母衬底上制备硒化铋纳米片的方法在审
| 申请号： | 201810342828.3 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108467018A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 俞金玲;谷鹏;曾晓琳;程树英;赖云锋;郑巧;周海芳;赵宜升 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊;李翠娥 |
| 地址： | 350108 福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 云母 纳米片 衬底 硒化铋 制备 生长 化学气相沉积 无催化剂辅助 广阔应用 生长设备 管式炉 石英管 源材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种在云母衬底上制备硒化铋纳米片的方法，其特征在于：包括以下步骤：
1）取一定量的高纯度硒化铋粉末放在石英舟的一端作为源材料，新鲜剥离的云母衬底放在距离源材料一定距离的载气下游位置，然后将石英舟放置于直径6cm的单口石英管中，高纯氩气作为载气去运输源材料蒸汽，一根直径5mm的细石英管插入单口石英管中用于输送气体；
2）先用机械泵对化学气相沉积法系统进行抽真空，然后用高纯氩气洗气3次以上来排尽石英管内残余的氧气；
3）将管式炉达到设定的生长温度600℃时，将石英管推入管式炉中，使源材料位于管式炉的中心位置，同时打开气体流量计通入高纯氩气，控制生长时间为30min，待生长结束后将石英管从管式炉中取出并让其自然冷却至室温，最后关闭气体，取出样品。
2.根据权利要求1所述的在云母衬底上制备硒化铋纳米片的方法，其特征在于：步骤1）中高纯度硒化铋粉末的质量为0.3g，源材料与云母衬底之间的距离为30-37cm。
3.根据权利要求1所述的在云母衬底上制备硒化铋纳米片的方法，其特征在于：步骤2）中系统抽真空为15Pa。
4.根据权利要求1所述的在云母衬底上制备硒化铋纳米片的方法，其特征在于：步骤3）中管式炉高纯氩气流量为50-90sccm，生长气压为65-80Pa。
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