[发明专利]一种纳米多层膜调制比的实时测量方法及装置

权利要求书

1.一种纳米多层膜调制比的实时测量方法，所用装置包括待检测纳米多层膜，四探针探头，导线，机械臂，摄像头，四探针测试仪和计算机；所述四探针探头的接触面积小于所述纳米多层膜的面积，四探针探头固定在机械臂上，机械臂焊接在磁控溅射仪腔体的顶盖上；所述四探针探头的信号通过导线与所述四探针测试仪的信号采集端相连，所述四探针测试仪的信号输出端与所述计算机相连；机械臂为六自由度以上的机械臂；

其特征在于，该方法包括以下步骤：

[1]磁控溅射制备目标调制周期下不同调制比的纳米多层膜，使用电子显微镜确定其调制比符合目标值，作为标准样；

[2]使用四探针测试仪测量标准样电阻，利用公式ρ＝R_s×W计算纳米多层膜标准样的电阻率；

[3]根据标准样的电阻率与调制比建立数据库；

[4]使用磁控溅射仪制备纳米多层膜，纳米多层膜溅射一定层数后，暂停磁控溅射仪，通过摄像头与机械臂针调整四探针探头与多层膜的相对位置，使四根探针位于纳米多层膜的对角线上，进行测量；

[5]四探针测试仪将测得的电阻信号传输到电脑中，利用公式ρ＝R_s×W计算待检纳米多层膜电阻率；

[6]运行软件在数据库中检索该电阻率输出与之对应的调制比；

[7]测量完毕后，将机械臂收回；

其中R_s为四探针探头测得的电阻，W为根据已测得的溅射速率和溅射时间得到多层膜的厚度。