[发明专利]一种硅基微针阵列贴片的制备方法

权利要求书

1.一种硅基微针阵列贴片的制备方法，其特征是，所述的制备方法包括微孔的制备以及针尖的制备，其中：

微孔通过以下步骤制备得到：

S.1 在硅片背面涂敷光刻胶；

S.2 将背面涂有光刻胶的硅片置于热板上进行烘烤；

S.3光刻曝光，显影，制备孔阵列；所述孔阵列中的孔直径为30微米；

S.4深硅刻蚀，在硅片中形成深孔；

针尖通过以下步骤制备得到：

S.5 在硅片正面通过电子束蒸发覆盖一层铝膜；

S.6 在硅片正面涂敷光刻胶；

S.7 将正面涂敷有光刻胶的硅片置于热板上进行烘烤；

S.8光刻曝光，显影，制备光刻胶圆柱阵列；圆柱阵列中的圆柱直径为80-120微米；

S.9浸入铝腐蚀液，去除多余铝膜，漂洗干净；

S.10深硅刻蚀，以铝为刻蚀模板，刻蚀硅片得到硅针尖毛坯阵列；所述硅针尖毛坯阵列的高度为250-350微米；

S.11 去除光刻胶，铝膜；

S.12 将硅片浸入腐蚀液，得到硅基微针阵列；所述硅基微针阵列中的微孔偏离针尖的正中心；所述硅基微针阵列中针尖沿硅片垂直方向的剖面中两侧高度不同，所述硅基微针阵列中针尖沿硅片垂直方向的剖面两侧均为三角形结构；腐蚀液为质量分数为35-40%的氢氧化钾溶液。

2.根据权利要求1所述的一种硅基微针阵列贴片的制备方法，其特征是，所述的步骤S.1与S.6中的硅片背面与正面涂敷的光刻胶为AZP 4620正型光刻胶。

3.根据权利要求1或2所述的一种硅基微针阵列贴片的制备方法，其特征是，所述的步骤S.1与S.6中的涂敷光刻胶的硅片分别在步骤S.2与S.7下的烘烤参数如下：将涂敷光刻胶的硅片置于90-110℃的热板上烘烤1-5分钟，得到的光刻胶厚度为5-15微米。

4.根据权利要求1所述的一种硅基微针阵列贴片的制备方法，其特征是，所述的步骤S.3与S.8中的光刻参数如下：光刻光强为2.7-3.0mW/cm²，光刻时间150-250s；显影剂为AZ300 MIF显影液，显影时间100-250s，显影结束后使用去离子水清洗1-3分钟。

5.根据权利要求1所述的一种硅基微针阵列贴片的制备方法，其特征是，所述的步骤S.5中铝膜的厚度为100纳米。