[发明专利]一种曝光图案的补正方法和装置、曝光设备

说明书

本发明提供一种曝光图案的补正方法和装置、曝光设备，涉及显示面板制作领域，用于避免现有通过更换掩膜板的方式来减小彩膜基板曝光图案的TP设计值与实际值差异时成本较高的问题。补正方法包括：根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸、相对应的第二测量尺寸、相对应的设计尺寸、阈值系数对工作台相对于掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到工作台相对于掩膜板的补偿设计坐标；根据补偿设计坐标控制工作台相对于掩膜板移动。第一测量尺寸为形成曝光图案后测得的曝光图案的尺寸，第二测量尺寸为在形成曝光图案后、在衬底基板上形成其他图案后测得的曝光图案的尺寸，设计尺寸为曝光图案的设计尺寸。

技术领域

本发明涉及显示面板制作领域，尤其涉及一种曝光图案的补正方法和装置、曝光设备。

背景技术

TFT-LCD制程中，无论是TN型(Twisted Nematic Mode，扭曲向列)还是ADS型(Advanced-Super Dimension Switch Mode，高级超维场开关)产品均存在Touch Mura(在模组完成品表面施加一定外力，暗态画面下出现发白发亮的现象)问题。由于Touch Mura形成原理较为复杂，影响因素也较多，因此该不良一直是行业内的难题。根据Touch Mura机理研究，其影响因素一般概括为以下两种：

图1为一种TN型(TN Mode)液晶面板的结构图，其主要是由于彩膜基板(简称CF)和阵列基板(简称TFT基板或者Array基板)的表面不平坦，因此形成取向层时表面不平坦处会存在Rubbing Shadow区(也称为取向层弱区)。图1中的Q处为彩膜基板和阵列基板对盒时没有发生偏移的Rubbing Shadow区的示意。当彩膜基板和阵列基板相互之间发生偏移时，会导致Rubbing Shadow区偏大，使得局部液晶偏转受影响，从而引起Touch Mura。图2为一种ADS型(ADS Mode)液晶面板的结构图，其主要是由于彩膜基板和阵列基板相互之间发生偏移，彩膜基板中的BM(Black Matrix，黑矩阵)偏移，导致背光源提供的光线容易漏出，从而引起Touch Mura。因此对盒形成液晶面板时彩膜基板和阵列基板之间是否发生偏移，是Touch Mura发生的一个共性问题。

而彩膜基板和阵列基板之间是否发生偏移主要通过对TP(Total Pitch，关键尺寸，用于衡量形成图案(Pattern)在基板上的精度)来评估。通常TP设计版图(如图3)与实际最终TP(Final TP)版图(如图4)存在较大差异，这种差异会直接影响彩膜基板和对盒基板的对盒精度。

为了解决该问题，现有一般采取分别对制作阵列基板和彩膜基板时曝光图案的设计坐标进行补正。由于阵列基板的制作工艺较为复杂其曝光设备精度较高可以实现对曝光图案的单点补正，从而较为容易减小TP设计值与实际值的差异，以实现对阵列基板的FinalTP精度的管控；而彩膜基板由于其曝光机精度较差只能通过更换掩膜板(Mask)来实现对Final TP精度的管控，而更换掩膜板成本较高。

发明内容

本发明的实施例提供一种曝光图案的补正方法和装置、曝光设备，用于避免现有通过更换掩膜板的方式来减小彩膜基板曝光图案的TP设计值与实际值差异时成本较高的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明的第一方面，提供一种曝光图案的补正方法，包括：

根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸、相对应的第二测量尺寸、相对应的设计尺寸、阈值系数对工作台相对于掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到所述工作台相对于所述掩膜板的补偿设计坐标；所述工作台用于支撑所述衬底基板；根据所述补偿设计坐标控制所述工作台相对于所述掩膜板移动；其中，所述衬底基板上的曝光图案是所述工作台相对于所述掩膜板位于所述原设计坐标对应的位置处的情况下形成的，所述第一测量尺寸为形成所述曝光图案后测得的所述曝光图案的尺寸，所述第二测量尺寸为在形成所述曝光图案后、在所述衬底基板上形成其他图案后测得的所述曝光图案的尺寸，所述设计尺寸为所述曝光图案的设计尺寸。