[发明专利]一种基于三明治结构的半导电材料介电性能测试方法

权利要求书

1.一种基于三明治结构的半导电材料介电性能测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、在半导电材料(2)的上下表面各涂覆一层厚度相等的绝缘浸渍漆，使其上下表面形成厚薄均匀的绝缘层(1)，从而形成三层结构试样，然后将三层结构的试样室温固化或热压结合，得到三明治结构试样；用涂覆在半导电材料(2)上的绝缘浸渍漆制备绝缘浸渍漆试样；

步骤2、将三明治结构试样和固化后的绝缘浸渍漆试样上下两面镀金制成电极；在绝缘浸渍漆试样上下两面镀金制成圆电极；

步骤3、将步骤2制得的带电极的三明治结构试样夹在两个电极之间放入宽频带介电谱测试系统的试样腔中，进行测试介电性能，得到三明治结构试样在不同测试频率下的相对介电常数ε_r和损耗因数tanδ；将步骤2制得的带电极的绝缘浸渍漆试样夹在两个电极之间放入宽频带介电谱测试系统的试样腔中，测试绝缘浸渍漆试样的介电性能，得到绝缘浸渍漆在不同测试频率下的相对介电常数ε_r1和损耗因数tanδ₁；

步骤4、根据步骤3得到的测试数据，计算出所测半导电材料的相对介电常数ε_r2及损耗因数tanδ₂；

步骤5、改变测试温度T，重复步骤3至步骤4，计算出不同测试温度、不同测试频率下半导电材料的相对介电常数ε_r2及损耗因数tanδ₂。

2.根据权利要求1所述的一种基于三明治结构的半导电材料介电性能测试方法，其特征在于，半导电材料的相对介电常数ε_r2及损耗因数tanδ₂的计算过程如下：

首先根据式1计算出明治结构试样在不同测试频率下的电容C和交流电阻R，根据式2计算出绝缘浸渍漆在不同测试频率下的电容C₁和交流电阻R₁，然后根据式3计算出半导电材料不同测试频率下的电容C₂和交流电阻R₂，最后根据式4计算出导电材料的相对介电常数ε_r2和损耗因数tanδ₂，

其中，

3.根据权利要求1所述的一种基于三明治结构的半导电材料介电性能测试方法，其特征在于，在步骤1之前，将测试的半导电材料切成片状试样，片状试样的长和宽在35mm×35mm-45mm×45mm范围内，厚度d₂在0.5mm-2mm范围内。

4.根据权利要求1所述的一种基于三明治结构的半导电材料介电性能测试方法，其特征在于，步骤1中，绝缘浸渍漆的涂覆厚度d₁在0.01mm-0.5mm范围内。

5.根据权利要求1所述的一种基于三明治结构的半导电材料介电性能测试方法，其特征在于，步骤2中，三明治结构试样和固化后的绝缘浸渍漆试样上下两面的电极均为圆形。

6.根据权利要求5所述的一种基于三明治结构的半导电材料介电性能测试方法，其特征在于，步骤2中，位于三明治结构试样和固化后的绝缘浸渍漆试样上表面的电极直径D在20mm-40mm范围内，位于三明治结构试样和固化后的绝缘浸渍漆试样下表面的电极的直径大于D。

7.根据权利要求1所述的一种基于三明治结构的半导电材料介电性能测试方法，其特征在于，步骤1中，绝缘浸渍漆为聚酯绝缘浸渍漆、环氧绝缘浸渍漆、有机硅绝缘浸渍漆或聚酰亚胺绝缘浸渍漆。