[发明专利]光刻掩模版

说明书

本发明涉及一种光刻掩模版，涉及半导体制造设备。该光刻掩模版包括掩模版本体和热收缩材料；掩模版本体包括第一侧面、第二侧面、第三侧面及第四侧面，第一侧面和第二侧面位于X轴方向上，且第一侧面与第二侧面相对，构成第一两相对侧面，第三侧面和第四侧面位于Y轴方向上，且第三侧面与第四侧面相对，构成第二两相对侧面，X轴方向与Y轴方向成一定角度，且第一两相对侧面或第二两相对侧面上设置热收缩材料；以改善掩膜版本体因受热温度升高而导致的光刻掩模版上的图形产生的形变及位移的问题，提高半导体产品的良率。

技术领域

本发明涉及一种半导体制造设备，尤其涉及一种可缓解受热膨胀的光刻掩模版。

背景技术

在半导体集成电路制造技术中，光刻曝光工艺是其中必不可少的步骤。光刻曝光工艺是利用光化学反应原理把事先制备在掩模版上的图形转移到衬底上的过程。图1为光刻曝光装置示意图，如图1所示，光刻曝光装置包括掩模版100、镜头200及衬底300，掩模版100位于镜头200和衬底300之间。掩模版100主要以透光的石英为基底，镶嵌不透光的铬形成图形。曝光时，光线400从镜头200发出照射掩模版100，穿过掩模版100上的透光区域照射衬底300上的光刻胶并激发光化学反应，经过显影后去除掩模版100上透光部分光刻胶形成图形，以完成光刻曝光工艺。

然而，在连续曝光时，光线不断照射到掩模版上产生能量聚集，掩模版受热温度升高而发生膨胀，导致掩模版上的图形产生形变及位移。图2为掩模版上的图形随着温度升高而变化的示意图，如图2所示，随着掩模版温度的升高，掩模版上的图形增大并发生位移。且随着曝光晶圆个数的增加，掩模版的温度逐渐升高，如图3所示。随着光刻曝光工艺精度的发展，如目前发展到纳米级别甚至10纳米以下时，掩模版受热膨胀产生的图形形变及位移对实际晶圆上的关键尺寸和对准影响极大。

然而，当前主要通过模拟预补正的方法来修正掩模版受热膨胀带来的问题，该方法精度不高且需要根据不同的掩模版做模拟，费时且工作量大。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光刻掩模版，以缓解光刻掩模版受热膨胀的问题，提高半导体产品的良率。

本发明提供的光刻掩模版，包括：掩模版本体和热收缩材料；掩模版本体包括第一侧面、第二侧面、第三侧面及第四侧面，第一侧面和第二侧面位于X轴方向上，且第一侧面与第二侧面相对，构成第一两相对侧面，第三侧面和第四侧面位于Y轴方向上，且第三侧面与第四侧面相对，构成第二两相对侧面，X轴方向与Y轴方向成一定角度，且第一两相对侧面或第二两相对侧面上设置热收缩材料。

进一步的，第一侧面、第二侧面、第三侧面及第四侧面上分别设置热收缩材料。

进一步的，热收缩材料粘结于第一侧面、第二侧面、第三侧面及第四侧面上。

进一步的，热收缩材料通过胶体粘结于第一侧面、第二侧面、第三侧面及第四侧面上。

进一步的，第一侧面、第二侧面、第三侧面及第四侧面上分别设置凹槽，热收缩材料设置于第一侧面、第二侧面、第三侧面及第四侧面上的凹槽内。

进一步的，掩模版本体具有一受热膨胀系数为γ1，热收缩材料具有一受热收缩系数为γ2，且γ1γ2。

进一步的，γ10.3*γ2。

进一步的，第一侧面在X轴方向上的长度为L1，设置于第三侧面和第四侧面上的热收缩材料在X轴方向上的长度之和为d3，则d3＝L1*γ1/γ2。

进一步的，第三侧面在Y轴方向上的长度为L3，设置于第一侧面和第二侧面上的热收缩材料在Y轴方向上的长度之和为d1，则d1＝L3*γ1/γ2。