[发明专利]射频功率放大电路

权利要求书

1.一种射频功率放大电路，其特征在于，所述射频功率放大电路，包括：电源控制单元、钳位补偿单元、偏置单元和功率放大单元；其中，

所述电源控制单元，用于向所述功率放大单元提供与所述射频功率放大电路的工作模式相匹配的工作电压；

所述钳位补偿单元，与所述电源控制单元和所述偏置单元分别连接，用于在所述工作模式为第一工作模式时，基于所述工作电压，向所述偏置单元提供第一电信号；其中，所述钳位补偿单元包括：第一电感和第一晶体管；所述第一电感的第一端与所述电源控制单元连接，所述第一电感的第二端与所述第一晶体管连接；所述第一晶体管的第一端与所述第一电感连接，所述第一晶体管的第二端与所述功率放大单元连接；

所述偏置单元，与所述钳位补偿单元和所述功率放大单元分别连接，用于在所述第一工作模式时，向所述功率放大单元提供基于所述第一电信号形成的第一偏置电压；

所述功率放大单元，用于在所述第一工作模式时，基于所述第一偏置电压及所述工作电压，放大所述功率放大单元的输入信号，输出相位得到补偿的输出信号。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括：电容补偿单元；

所述电容补偿单元，与所述功率放大单元连接，用于接收所述输入信号，向所述输入信号提供与所述工作模式相匹配的容抗；在所述工作模式为第二工作模式时，基于所述容抗向所述功率放大单元输出相位延迟的输入信号。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述电容补偿单元，包括：第一电容、第二电容和第三电容；

所述第一电容的一端与所述功率放大单元连接，所述第一电容的另一端与所述第二电容连接；

所述第二电容为可调电容，所述第二电容的一端与所述第一电容连接，所述第二电容的另一端接收所述输入信号；

所述第三电容为可调电容，所述第三电容的一端与所述第一电容连接，所述第三电容的另一端接地。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，

所述可调电容，包括k个并联支路，其中，每个支路包括一个开关和一个电容，k为正整数；

所述开关，用于在所述工作模式为第一工作模式时，处于断开状态；在所述工作模式为第二工作模式时，处于闭合状态。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，

所述钳位补偿单元，具体用于在所述工作模式为第一工作模式时，处于导通状态，向所述偏置单元提供所述第一电信号；在所述工作模式为第二工作模式时，处于断开状态。

6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管还包括：第三端；

所述第一晶体管的第三端与所述第一晶体管的第二端连接。

7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述偏置单元，包括：第一电阻和第二电阻；

所述第一电阻的第一端接收第二偏置电压，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端连接；

所述第二电阻的第一端连接所述钳位补偿单元，所述第二电阻的第二端连接所述功率放大单元。

8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述功率放大单元，包括：n个功率放大子单元；其中，n为正整数；

第i个功率放大子单元包括：第i电阻和第i放大晶体管，其中，i为小于n的正整数；

所述第i电阻的第一端接收所述第i个功率放大子单元的偏置信号，所述第i电阻的第二端与所述第i放大晶体管的第二端连接；

所述第i放大晶体管的第一端与第i+1放大晶体管的第三端连接，所述第i放大晶体管的第三端与第i-1放大晶体管的第二端连接。

9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述功率放大单元的第n个功率放大子单元包括：第n放大晶体管；

所述第n放大晶体管的第一端与所述电源控制单元连接，所述第n放大晶体管的第二端与所述偏置单元连接，所述第n放大晶体管的第三端与第n-1放大晶体管的第二端连接。

10.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述功率放大单元，还包括：n-1个偏置电容；

第i个偏置电容的第一端与所述第i放大晶体管的第三端连接，所述第i个偏置电容的第二端与所述第i+1放大晶体管的第二端连接；

所述偏置电容用于为放大晶体管之间提供匹配的射频阻抗。