[发明专利]神经形态器件中具有多个铁电场效应晶体管的突触阵列

权利要求书

1.一种神经形态器件的突触阵列，包括：

输入神经元；

输出神经元；以及

突触；

其中，突触包括多个彼此并联地电连接的铁电场效应晶体管。

2.根据权利要求1所述的神经形态器件的突触阵列，

其中，所述多个铁电场效应晶体管中的每一个包括栅极绝缘层、铁电薄膜和栅电极。

3.根据权利要求2所述的神经形态器件的突触阵列，

其中，铁电薄膜和栅电极是在相同方向上延伸的线形状。

4.根据权利要求2所述的神经形态器件的突触阵列，

其中，铁电薄膜和栅电极是在互相垂直的方向上延伸的线形状。

5.根据权利要求2所述的神经形态器件的突触阵列，

其中，栅极绝缘层和铁电薄膜具有板形状；以及

其中，栅电极具有线形状。

6.根据权利要求1所述的神经形态器件的突触阵列，

其中，所述多个铁电场效应晶体管中的每一个包括与输入神经元电连接的漏电极。

7.根据权利要求1所述的神经形态器件的突触阵列，

其中，所述多个铁电场效应晶体管中的每一个包括与输出神经元电连接的源电极。

8.根据权利要求1所述的神经形态器件的突触阵列，

其中，所述多个铁电场效应晶体管中的每一个包括栅电极；以及

其中，多个栅电极与多个栅控控制器电连接。

9.一种神经形态器件的突触阵列，包括：

第一输入神经元；

第二输入神经元；

输出神经元；以及

突触；

其中，突触包括多个彼此并联地电连接的铁电场效应晶体管对；

其中，所述多个铁电场效应晶体管对中的每一对包括第一铁电场效应晶体管和第二铁电场效应晶体管；以及

其中，第一铁电场效应晶体管和第二铁电场效应晶体管彼此串联地电连接。

10.根据权利要求9所述的神经形态器件的突触阵列，

其中，第一铁电场效应晶体管包括与第一输入神经元电连接的漏电极。

11.根据权利要求10所述的神经形态器件的突触阵列，

其中，第一铁电场效应晶体管包括与输出神经元电连接的源电极。

12.根据权利要求11所述的神经形态器件的突触阵列，

其中，第一铁电场效应晶体管包括与第一铁电场效应晶体管的源电极电连接的主体。

13.根据权利要求9所述的神经形态器件的突触阵列，

其中，第二铁电场效应晶体管包括与第二输入神经元电连接的源电极。

14.根据权利要求13所述的神经形态器件的突触阵列，

其中，第二铁电场效应晶体管包括与输出神经元电连接的漏电极。

15.根据权利要求14所述的神经形态器件的突触阵列，

其中，第二铁电场效应晶体管包括与第二铁电场效应晶体管的漏电极电连接的主体。

16.根据权利要求9所述的神经形态器件的突触阵列，

其中，第一铁电场效应晶体管包括第一栅电极，并且第二场效应晶体管包括第二栅电极；以及

其中，第一栅电极和第二栅电极与公共栅控控制器电连接。

17.根据权利要求9所述的神经形态器件的突触阵列，

其中，第一铁电场效应晶体管包括n型铁电场效应晶体管；以及

其中，第二铁电场效应晶体管包括p型铁电场效应晶体管。