[发明专利]基于LabVIEW的SRAM读写间接测试装置及方法在审

专利信息
申请号: 201810270107.6 申请日: 2018-03-29
公开(公告)号: CN108257646A 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 党学立;王雯 申请(专利权)人: 榆林学院
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 719000 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 读写 间接测试装置 测试界面 串口驱动模块 读取数据命令 控制面板模块 人机交互界面 信号参数数据 写操作控制 被测对象 被测芯片 串口发送 电路模块 间接测试 控制配置 命令模块 模块执行 时序参数 数据交互 用户界面 读操作 集成度 灵活的 前面板 写操作 直观 外部 创建
【权利要求书】:

1.基于LabVIEW的SRAM读写间接测试装置及方法,其特征在于它具有:

FPGA电路模块,接收从串口发送的时间数据,并对时间数据进行内部处理,产生SRAM控制波形;

JTAG电路模块,下载FPGA程序,Nios程序,以及在线调试软硬件程序;

晶振电路模块,为整个硬件系统提供时钟;

基于LabVIEW的SRAM读写间接测试控制面板模块,用于人机交互的;

写操作控制命令模块,进行SRAM写操作;`

读取数据命令模块,进行SRAM读数据操作;

底层串口驱动模块,用于数据对外传输。

2.如权利要求1所述的基于LabVIEW的SRAM读写间接测试装置及方法,其特征在于所述的基于LabVIEW的SRAM读写间接测试控制面板,在基于LabVIEW的SRAM读写间接测试控制面板中,与SRAM的控制有关的信号有:时钟信号,用CLK表示;片选信号,用CE/表示;读使能信号,用OE/表示;写使能信号,用WE/表示;地址信号,用A表示;双向数据信号,用D表示;其中,CLK信号的频率可通过软件程序灵活改变;其中,在CE/信号波形图中,a0~b1,c1~d1时刻为低电平,其它时刻为高电平;其中,在OE/信号波形图中,a2~b2时刻为低电平,其它时刻为高电平;其中,在WE/信号波形图中,a3~b4时刻,a2~b2时刻为低电平,其它时刻为高电平;其中,在A信号波形图中,a4~b4时刻,输入的地址数据为AD1,c4~d4时刻,输入的地址数据为AD2;其中,在D信号波形图中,a5~b5时刻,输入的数据为DIN,c5~d5时刻,输出的数据为DOUT;其中,a0,a1,b1,c1,d1,a2,b2,a3,b3,a4,b4,c4,d4,AD1,AD2,a5,b5,c5,d5,DIN为数据参数。

3.如权利要求1所述的基于LabVIEW的SRAM读写间接测试装置及方法,其特征在于所述的底层串口驱动模块,底层串口驱动模块的输出信号数据共84字节,其发送数据格式为:a0,a1,b1,c1,d1,a2,b2,a3,b3,a4,b4,c4,d4,AD1,AD2,a5,b5,c5,d5,DIN,X;其中,a0为时钟的频率;a1,b1,c1,d1,a2,b2,a3,b3,a4,b4,c4,d4,AD1,AD2,a5,b5,c5,d5,DIN为输入的SRAM信号参数数据;X为操作命令数据,当X为1时,执行SRAM写操作命令,当X为0时,执行SRAM读数据操作命令。

4.如权利要求1所述的基于LabVIEW的SRAM读写间接测试装置及方法,其特征在于所述的FPGA电路模块,FPGA电路模块包括外围电路和SOPC系统;其中,SOPC系统包括以下部分:定时器模块,PIO模块1,JTAG模块,串口模块,片上RAM模块,处理器模块,PIO模块2,片选信号模块,读使能信号模块,写使能信号模块,地址信号模块,数据信号模块;其中,片选信号模块,读使能信号模块,写使能信号模块,地址信号模块,数据信号模块,被测IS61LV10248芯片信号产生模块是创建的软核模块;其中,被测IS61LV10248芯片信号产生模块的软件实现步骤为:

(1)硬件上电,软件程序加载启动,开始工作;

(2)进行串口初始化工作,设置波特率:9600bps,数据位数:8位,停止位为1位;

(3)循环接收从串口发送来的84字节数据;

(4)进行配置参考时钟的周期工作:首先,接收频率数据,通过提取84字节数据前4字节数据实现;其次,计算出定时器的定时值:y=50000000/x;其中,前4字节数据为参考时钟的频率x;本系统中,晶振频率为50MHZ;最后,将定时器的定时值写入周期寄存器中,并启动定时器工作,产生工作时钟;

(5)进行复位操作处理;通过往PIO1核写入数据1,使PIO模块1的输出信号为高电平,输入到被测IS61LV10248芯片信号产生模块的RST引脚,引起被测IS61LV10248芯片信号产生模块的计数器复位,从而执行一次写数据操作;

(6)进行参数数据传送处理:首先,处理器将接收的第5字节数据~第20字节数据,通过Avalon总线,发送到片选信号模块的输出端a1,b1,c1,d1;将接收的第21字节数据~第28字节数据,通过Avalon总线,发送到读使能信号模块的输出端a2,b2;其次,将接收的第29字节数据~第36字节数据,通过Avalon总线,发送到写使能信号模块的输出端a3,b3;此后,将接收的第37字节数据~第60字节数据,通过Avalon总线,发送到地址信号模块的输出端a4,b4,c4,d4,AD1,AD2;最后,将接收的第61字节数据~第80字节数据,通过Avalon总线,发送到数据信号模块的输出端a5,b5,c5,d5,DIN;

(7)判断第84字节数据是否SRAM写操作控制命令,当第84字节数据等于1,则执行的是写操作控制命令:首先,处理器将数据1,通过Avalon总线,发送到数据信号模块的输出端EN;其次,启动一次写操作,通过往PIO核写入数据0,使PIO模块1的输出信号为低电平;此后,程序进入无限循环,进行下一次SRAM的读,或写操作;

(8)判断第84字节数据是否SRAM读操作控制命令,当第84字节数据等于0,则执行的是读取数据命令:首先,处理器将数据0,通过Avalon总线,发送到数据信号模块的输出端EN;其次,启动一次读操作,通过往PIO核写入数据0,使PIO模块1的输出信号为低电平;此后,循环等待读数据准备好,通过判断输入到PIO模块2的数据是否等于1,当数据等于1时,表示数据准备好,可以读取了;此后,处理器通过Avalon总线,读取SRAM的数据D;此后,进行串口发送数据处理,将读取的数据D,发送到串口模块的缓冲区,输出出去;此后,程序进入无限循环,进行下一次SRAM的读,或写操作。

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