[发明专利]用于修复操作的修复电路以及包括修复电路的存储器件

说明书

本发明公开了一种存储器件，其包括：多个存储单元阵列，每个存储单元阵列包括正常单元阵列和冗余单元阵列；第一熔丝单元，其包括与存储单元阵列之中的第一存储单元阵列相对应的多个第一熔丝组；第二熔丝单元，其包括与存储单元阵列之中的第二存储单元阵列相对应的多个第二熔丝组，第一熔丝组分别与第二熔丝组相对应；以及修复单元，其适用于基于表示第一熔丝组和第二熔丝组中的每个熔丝组是故障还是可用的信息，从第一熔丝组和述第二熔丝组中选择彼此对应的一对熔丝组，并且对选中的熔丝组对中的存储单元阵列的修复目标列地址进行编程。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年5月12日提交的申请号为10-2017-0059331的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种存储器件。具体地，本发明的示例性实施例涉及一种用于修复操作的修复电路以及包括该修复电路的存储器件。

背景技术

诸如，例如动态随机存取存储器(DRAM)和电阻式存储器的存储器件可以包括以矩阵形式布置的多个存储单元。随着存储器件的容量增加以及所制造的存储器件的尺寸缩小，存储单元中的有缺陷存储单元的数量也增加。通常，有缺陷存储单元可以包括故障存储单元和弱存储单元。故障存储单元可以被定义为在硬件方面不起作用的存储单元。例如，故障存储单元可以被定义为由于在半导体制造工艺期间出现的缺陷而不操作的存储单元(诸如连接线短路的存储单元)。弱存储单元可以被定义为不符合满意性能标准的存储单元。例如，弱存储单元可以包括数据保持时间未达到参考时间的存储单元。

如果在存储单元中即使存在一个故障存储单元，则理想地包括故障存储单元的存储器件也不得不被视为有缺陷存储器件，因为存储器件可能不能正常操作。被判定为有缺陷存储器件的存储器件可能不得不被放弃。当包括故障存储单元的所有存储器件被视为有缺陷存储器件时，制造工艺的成品率将显著下降。此外，由于存储单元高度集成，并且数千万个以上的存储单元被集成到一个芯片中，所以尽管制造工艺中有进步，但故障存储单元的数量趋向于增加。

因此，希望开发一种用于有效地修复有缺陷存储单元的方法，以提高成品率以及实现存储器件的高集成度和高速度。用于修复有缺陷存储单元的一种方法是提供一种用于利用内部的冗余单元替换有缺陷存储单元的修复电路。修复电路可以包括熔丝电路，其可以对与有缺陷存储单元相对应的地址进行编程。这里，“编程”可以指用于在熔丝电路中储存与有缺陷存储单元相对应的地址的一系列操作。

近年来，由于低电压高速操作和缩小制造尺寸的趋势，存储单元的数据保持特性趋于降低，这也可能导致弱存储单元的数量增加。换言之，储存在存储器件中的数据中出现错误比特位的频率急剧增加。为了解决该问题，致力于通过在存储器件的内部中的错误校正码(ECC)操作来检测和校正错误比特位。

可以存在执行ECC操作的各种操作方法，并且可以基于数据比特位的数量及其操作方法来确定奇偶校验位的有效数量。在DRAM的情况下，奇偶校验位的数量可以基于一次写入/读取的数据比特位的数量和ECC操作的方法来确定。此外，由于操作所消耗的电流量和读取数据所花费的时间是DRAM中非常重要的性能指标，因此可以重点考虑电流消耗和读取操作特性，以确定ECC操作的方法和除了一次写入/读取的数据比特位的数量之外的奇偶校验位的数量。

当ECC操作被应用于存储器件时，也可认为ECC操作执行存储器件的修复操作。用于修复操作的数据单元可以基于在制造工艺期间出现的缺陷类型和用于有效地检测缺陷的测试操作方法来确定。例如，对于用于确保存储器件中的无缺陷存储单元的测试操作，可以在关断ECC操作的同时执行测试操作。在测试操作期间，基于小于ECC操作的基本数据单元的数据单元来检测和修复存储单元，以便有效地检测缺陷。简言之，当用于修复操作的最小数据单元和用于ECC操作的基本数据单元可以彼此不同时，或者当以各种条件(诸如导通/关断ECC操作)执行测试操作时，可以附加考虑ECC操作以找到目标熔丝并执行修复操作。

发明内容