[发明专利]一种表面增强拉曼衬底及其制备方法

权利要求书

1.一种拉曼衬底，其特征在于，所述拉曼衬底包括纳米网状结构和位于所述纳米网状结构上的纳米球状结构形成的复合结构，以及位于复合结构表面的金属颗粒；

所述纳米网状结构为纳米周期网状结构；构成所述纳米网状结构的材料为介电材料；构成所述纳米球状结构的材料为介电材料；

所述纳米网状结构的线宽为10nm-50nm；所述纳米球状结构的直径为50nm-500nm；所述纳米网状结构的厚度为30nm-300nm；所述金属颗粒的直径为5nm-15nm；所述金属颗粒的间距为0nm-3nm。

2.根据权利要求1所述的拉曼衬底，其特征在于，所述拉曼衬底由纳米网状结构和位于所述纳米网状结构上的纳米球状结构形成的复合结构，以及位于复合结构表面的金属颗粒组成。

3.根据权利要求1所述的拉曼衬底，其特征在于，所述拉曼衬底为三维阵列结构。

4.根据权利要求1所述的拉曼衬底，其特征在于，构成所述纳米网状结构的材料为氧化硅。

5.根据权利要求1所述的拉曼衬底，其特征在于，构成所述纳米球状结构的材料为氧化硅。

6.根据权利要求1所述的拉曼衬底，其特征在于，所述金属颗粒包覆于纳米网状结构和纳米球状结构表面。

7.根据权利要求1所述的拉曼衬底，其特征在于，包覆了金属颗粒的纳米网状结构的线宽为20nm-80nm。

8.根据权利要求1所述的拉曼衬底，其特征在于，所述拉曼衬底位于基底上。

9.根据权利要求1所述的拉曼衬底，其特征在于，所述纳米网状结构中的纳米阵列图案的面积为100μm²-250000μm²。

10.根据权利要求1所述的拉曼衬底，其特征在于，所述纳米网状结构中的纳米阵列图案包括三角形、四边形、六边形或圆形中的任意一种或至少两种的组合。

11.根据权利要求10所述的拉曼衬底，其特征在于，所述纳米网状结构中的纳米阵列图案为六边形。

12.根据权利要求1-10任一项所述的拉曼衬底的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)将正性电子束抗蚀剂和负性电子束抗蚀剂混合，得到混合电子束抗蚀剂，将所述混合电子束抗蚀剂涂覆在基底上，得到涂覆后的基底；

(2)在涂覆后的基底上形成纳米阵列图案，显影得到纳米结构，在所述纳米结构上沉积金属，得到所述拉曼衬底。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，以所述混合电子束抗蚀剂的体积为100％计，负性电子束抗蚀剂的体积分数为25％-85％。

14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述混合伴有超声分散。

15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述超声分散的时间为2min-60min。

16.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述涂覆的方法为旋涂。

17.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述基底包括硅基底、金属衬底以及III-V族半导体基底中的任意一种。

18.根据权利要求17所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述基底为硅基底。