[发明专利]晶体振荡器及晶体振荡器的制造方法

说明书

本发明提供一种实现小型化、低价格化且开发容易的晶体振荡器及晶体振荡器的制造方法。晶体振荡器包括：晶体振子，包含以规定频率振荡的晶体振动片；集成电路，载置晶体振子，且包含使晶体振动片振荡的振荡电路；以及绝缘性树脂，以覆盖晶体振子的方式形成在集成电路上。

技术领域

本发明涉及一种小型化的晶体振荡器(crystal controlled oscillator)及晶体振荡器的制造方法。

背景技术

与晶体元件相关的问题之一在于小型化。即使在晶体元件中，包含集成电路的晶体振荡器的小型化，比不包含集成电路的晶体振子的小型化更迟。另外，对于晶体振荡器来说，低价格化的要求特别强烈。对此，在专利文献1中公开了如下内容：将压电振动片载置在半导体晶片(semiconductor wafer)上并由盖体基板覆盖，然后进行单片化，由此来实现小型化及低价格化。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2007-251601号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

但是，对于压电振荡器来说，组装技术的难易度会随着小型化而升高。因此，如专利文献1所示的压电振荡器的制造方法存在如下问题：开发工期长，并且必须投入用于开发的大量的人员，开发费用高。

因此，本发明的目的在于提供一种实现小型化、低价格化且开发容易的晶体振荡器及晶体振荡器的制造方法。

[解决问题的技术手段]

第一实施例的晶体振荡器包括：晶体振子，包含以规定频率共振的晶体振动片；集成电路，载置晶体振子，且包含使晶体振动片振荡的振荡电路；以及绝缘性树脂，以覆盖晶体振子的方式形成在集成电路上。

根据第一实施例，第二实施例的晶体振荡器包括：第一层，包含晶体振子及绝缘性树脂；以及第二层，由集成电路形成。第一层与第二层彼此接合，第一层的晶体振子经由凸块(bump)而与第二层电连接，并且在第一层与第二层之间形成接合材，由此，所述第一层接合于第二层。

根据第二实施例，第三实施例的晶体振荡器在第一层的绝缘性树脂中，形成有贯穿绝缘性树脂的通孔，在通孔中，填充有与形成于第二层的电极焊盘电连接的导电性填充材，在绝缘性树脂的处于第二层的相反侧的面上，形成有电连接于导电性填充材的焊球(solder ball)。

根据第一实施例至第三实施例中的任一实施例，通过将晶体振动片封入至陶瓷封装(ceramic package)，来形成第四实施例的晶体振荡器的晶体振子。

第五实施例的晶体振荡器的制造方法包括：晶体振子配置工序，将多个晶体振子配置于晶片模具，所述多个晶体振子包含以规定频率共振的晶体振动片；绝缘性树脂形成工序，利用绝缘性树脂来覆盖配置于晶片模具上的多个晶体振子，并使绝缘性树脂硬化；第一基板移除工序，从晶片模具移除由多个晶体振子及绝缘性树脂形成的第一基板；第二基板形成工序，形成包含多个集成电路的第二基板，所述集成电路包含使晶体振动片振荡的振荡电路；第三基板形成工序，将第一基板与第二基板贴合而形成第三基板；以及第三基板切断工序，切断第三基板而形成晶体振荡器。

根据第五实施例，第六实施例的晶体振荡器的制造方法在第三基板形成工序中，将第一基板倒装芯片(flip chip)安装于第二基板上，并且在第一基板与第二基板之间形成接合材，由此，将第一基板与第二基板贴合。

根据第五实施例或第六实施例，第七实施例的晶体振荡器的制造方法在第三基板形成工序之后，包括第三基板研磨工序，所述第三基板研磨工序通过对第三基板的第二基板的一侧进行研磨，来调整第三基板的厚度。