[发明专利]移位寄存器单元及其控制方法、栅极驱动电路、显示装置

说明书

本发明公开了一种移位寄存器单元，包括输入电路，复位电路，输出电路，第一下拉控制电路，第二下拉控制电路，第一下拉电路，以及，第二下拉电路。本发明还公开了一种移位寄存器单元的控制方法、栅极驱动电路、显示基板和显示装置。本发明提出的移位寄存器单元及其控制方法、栅极驱动电路、显示基板、显示装置，可在一定程度上改善下拉TFT特性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种移位寄存器单元及其控制方法、栅极驱动电路、显示装置。

背景技术

为了追求显示设备更高的低成本和窄边框化，现有显示面板(Panel)产品越来越多的采用GOA(Gate driver On Array，阵列基板上栅极驱动)技术，即直接将薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)栅极驱动电路制作在阵列基板上，从而省去IC绑定(Bonding)及扇出(Fan-Out)区域的空间占用，实现在材料及制备工艺等方面的成本降低与显示面板的栅线两侧边框变窄。

GOA技术和COG(chip on glass，玻璃上芯片封装)及COF(chip on film，膜上芯片封装)技术相比，在窄边框适用以及成本上具有无可比拟的优势，目前已经在Mobile(移动电话)，TPC(Touch PC，触控个人电脑)以及NB(Notebook，笔记本)类产品上广泛使用。

但是，本发明的发明人在实现本发明的过程中，发现现有技术至少存在以下问题：

现有技术的GOA中的移位寄存器单元中，下拉TFT(薄膜晶体管)在绝大多数时间均处于打开状态，其栅极与源极的压差VGS>0V，长时间的正向偏压会导致阈值电压Vth的正向漂移。对于一般的a-Si(非晶硅)TFT，长时间的正向偏压导致的Vth漂移量较小，但对于氧化物TFT(比如a-IGZOTFT)，由于受工艺影响，背沟道容易产生缺陷，在偏压作用下，缺陷捕获电子或是使电荷重新分布，TFT的Vth变化较大，Vth的正向漂移会导致其在打开状态开态电流Ion迅速变小，上拉节点和输出端的放噪能力大大降低，GOA的输出稳定性变差，在长时间运行或者信赖性条件下极可能产品误输出(Muti-output)及抖动等不良。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的目的之一在于，提出一种移位寄存器单元及其控制方法、栅极驱动电路、显示装置，能够在一定程度上改善下拉TFT特性。

基于上述目的，本发明实施例的第一个方面，提供了一种移位寄存器单元，包括输入电路、复位电路、输出电路、第一下拉控制电路、第二下拉控制电路、第一下拉电路和第二下拉电路；

所述输入电路，分别连接输入端、第一电压端和上拉节点，用于根据来自所述输入端的输入信号和来自所述第一电压端的第一电压信号，输出预输出信号到所述上拉节点，以控制所述上拉节点的电位；

所述输出电路，分别连接时钟信号端和所述上拉节点，用于根据来自所述时钟信号端的时钟信号以及所述上拉节点的电位，控制输出端的电位；

所述复位电路，分别连接复位信号端、第二电压端和所述上拉节点，用于根据来自所述复位信号端的复位信号和来自所述第二电压端的第二电压信号，输出预复位信号到所述上拉节点，以控制所述上拉节点的电位；

所述第一下拉控制电路，分别连接第一控制信号端、下拉信号端和所述上拉节点，用于根据来自所述第一控制信号端的第一控制信号和来自所述下拉信号端的下拉信号以及所述上拉节点的电位，输出第三控制信号到第一下拉电路，以控制所述第一下拉电路开启或关闭；

所述第二下拉控制电路，分别连接第二控制信号端、下拉信号端和所述上拉节点，用于根据来自所述第二控制信号端的第二控制信号和来自所述下拉信号端的下拉信号以及所述上拉节点的电位，输出第四控制信号到第二下拉电路，以控制所述第二下拉电路开启或关闭；