[发明专利]无线充电用导磁板及其制备方法和无线充电模块在审

专利信息
申请号: 201810129819.6 申请日: 2018-02-08
公开(公告)号: CN108418317A 公开(公告)日: 2018-08-17
发明(设计)人: 谢国勇;侯勤田;雷奇;徐银辉;刘绪绪;朱宝平;黄德林;鄢世权;贺艳青 申请(专利权)人: 深圳顺络电子股份有限公司
主分类号: H02J50/70 分类号: H02J50/70;B32B27/12;B32B15/08;B32B15/04;B32B7/12
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 方艳平
地址: 518110 广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 软磁合金 无线充电 导磁板 上表面 下表面 两层 制备 无线充电模块 保护膜 载体膜 最上层 最下层 叠层 纳米晶材料 网格状分布 热处理 非晶材料 烘干处理 边缘处 横向辊 胶黏剂 有效地 纵向辊 片叠 粘结
【权利要求书】:

1.一种无线充电用导磁板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1:将至少两层软磁合金片进行热处理,所述软磁合金片采用非晶材料或纳米晶材料制成;

S2:在至少两层所述软磁合金片的上表面和/或下表面涂布胶黏剂,并烘干处理;

S3:将各层所述软磁合金片相互叠层之后再在最上层的所述软磁合金片的上表面和最下层的所述软磁合金片的下表面覆上载体膜;

S4:将叠层后的至少两层所述软磁合金片进行横向辊压和纵向辊压,以使各层所述软磁合金片分别形成网格状分布的尺寸均匀且相互分离的多个碎片;

S5:将最上层的所述软磁合金片的上表面和最下层的所述软磁合金片的下表面上的所述载体膜去掉再分别覆上保护膜;

S6:将上下两片所述保护膜的边缘处相互粘结起来。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述软磁合金片在480~600℃下的真空、氮气或者氩气环境下进行热处理。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S2中的涂布所述胶黏剂的厚度为2~5μm;所述胶黏剂采用丙烯酸酯、聚氨酯或环氧树脂中的至少一种;优选地,所述烘干处理中烘干温度为60~100℃,烘干时间为10~60min。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S5中的所述保护膜采用PET、PE、OPP、PVC、CPP或BOPP保护膜中的任意一种,优选地,上下两片所述保护膜的边缘处分别凸出于各层所述软磁合金片的边缘处0.2~1.0mm。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S4中进行横向辊压和纵向辊压的辊压刀的宽度为0.5~2mm;优选地,横向辊压和纵向辊压处理的上压辊采用横纹辊或花纹辊,辊纹间距为0.5~2mm,下压辊采用无纹平辊。

6.一种无线充电用导磁板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1:将至少一层软磁合金片进行热处理,所述软磁合金片采用非晶材料或纳米晶材料制成;

S2:在至少一层所述软磁合金片的上表面和下表面涂布胶黏剂,并烘干处理;

S3:在至少一层所述软磁合金片的上表面和下表面覆上载体膜;

S4:将至少一层所述软磁合金片分别进行横向辊压和纵向辊压,以使各层所述软磁合金片分别形成网格状分布的尺寸均匀且相互分离的多个碎片;

S5:将至少一层所述软磁合金片的上表面和下表面的所述载体膜去掉,当所述软磁合金片为一层时,在该层所述软磁合金片的上表面和下表面分别覆上保护膜;当所述软磁合金片大于一层时,将各层所述软磁合金片相互叠层后再在最上层的所述软磁合金片的上表面和最下层的所述软磁合金片的下表面覆上保护膜;

S6:将上下两片所述保护膜的边缘处相互粘结起来。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述软磁合金片在480~600℃下的真空、氮气或者氩气环境下进行热处理。

8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,步骤S2中的涂布所述胶黏剂的厚度为2~5μm;所述胶黏剂采用丙烯酸酯、聚氨酯或环氧树脂中的至少一种;优选地,所述烘干处理中烘干温度为60~100℃,烘干时间为10~60min。

9.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,步骤S5中的所述保护膜采用PET、PE、OPP、PVC、CPP或BOPP保护膜中的任意一种,优选地,上下两片所述保护膜的边缘处分别凸出于各层所述软磁合金片的边缘处0.2~1.0mm。

10.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,步骤S4中进行横向辊压和纵向辊压的辊压刀的宽度为0.5~2mm;优选地,横向辊压和纵向辊压处理的上压辊采用横纹辊或花纹辊,辊纹间距为0.5~2mm,下压辊采用无纹平辊。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳顺络电子股份有限公司,未经深圳顺络电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810129819.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top