[发明专利]一种用于建筑领域的太阳电池组件及其制备方法在审
| 申请号: | 201810128516.2 | 申请日: | 2018-02-08 |
| 公开(公告)号: | CN110137285A | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
| 发明(设计)人: | 张伟;李永武;刘辉 | 申请(专利权)人: | 光之科技发展(昆山)有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H02S20/26 |
| 代理公司: | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人: | 陈琳琳;李彪 |
| 地址: | 215300 江苏省苏州市昆*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳电池组件 保护层 基底 发电层 制备 建筑领域 柔性塑料薄膜 水泥基板材 成本优势 加权平均 清洁处理 金属板 批量化 透过率 正负极 瓦片 波长 瓷砖 附着 涂覆 玻璃 覆盖 生产 | ||
1.一种用于建筑领域的太阳电池组件,所述太阳电池包括基底、发电层和保护层;
所述发电层设置在基底上,所述保护层覆盖于发电层上;
所述基底为玻璃、金属板、水泥基板材、柔性塑料薄膜、瓷砖和瓦片;
所述保护层在300nm~1300nm波长范围内加权平均透过率为0~79%。
2.根据权利要求1所述的太阳电池组件,其特征在于:所述基底具有0.01mm~5cm的厚度。
3.根据权利要求1所述的太阳电池组件,其特征在于:所述发电层具有铜铟镓硒薄膜太阳电池、砷化镓太阳电池、晶体硅太阳电池、硅基薄膜太阳电池、碲化镉薄膜太阳电池、有机太阳电池、铜锌锡硫薄膜太阳电池或钙钛矿薄膜太阳电池的结构。
4.根据权利要求1所述的太阳电池组件,其特征在于:所述的保护层的材质为无机硅酸盐材料或无机有机复合材料。
5.根据权利要求1所述的太阳电池组件,其特征在于:所述的保护层厚度为0.01~5mm。
6.根据权利要求1所述的太阳电池组件,其特征在于:所述太阳电池还包括封装层,其位于发电层和保护层之间,所述封装层材料包括乙烯-辛烯共聚物或乙烯-醋酸乙烯酯共聚物。
7.根据权利要求6所述的太阳电池组件,其特征在于:所述封装材料的厚度为0.05mm~3mm。
8.制备1-7任一所述的太阳电池组件的方法,包括如下的步骤:
1)将发电层附着到基体之上,并引出正负极,或者直接在基底上制备发电层,并引出正负极;
2)涂覆室温下为液态的保护层材料,经过室温固化8-12小时后,形成坚固的釉质保护层。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述基底在制备发电层前需经抛光和清洁处理,处理后的基底表面粗糙度小于100nm,接触角为5~15°。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,步骤1)还包括在引出正负极后,在其上形成封装层的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光之科技发展(昆山)有限公司,未经光之科技发展(昆山)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810128516.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





