[发明专利]一种涂覆TiO2薄膜的光波导型微环谐振腔湿度传感器的制备方法在审
| 申请号： | 201810127881.1 | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108469416A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 闫树斌;王一飞;张勐;王梦梦;赵学峰;张彦军;薛晨阳;张文栋 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01N21/25 | 分类号： | G01N21/25 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 湿度传感器 微环谐振腔 光波导型 涂覆 制备 光谱仪 湿敏薄膜 反应时间短 环形谐振腔 波长漂移 波导结构 电磁干扰 光学领域 输出光栅 系统领域 谐振现象 谐振 光波 可观测 灵敏度 输出谱 体积小 谐振腔 折射率 直波导 回廊 光刻 测量 观测 吸收 制作 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种涂覆TiO2薄膜的光波导型微环谐振腔湿度传感器的制备方法,其特征在于包括以下步骤：
第一步：SOI基片清洗；
第二步：匀胶，在清洗后的SOI基片顶层表面匀一层光刻胶；
第三步：采用电子束曝光系统对SOI基片顶层表面上的光刻胶进行曝光，并进行显影、定影处理，在光刻胶层上留下直波导状和微环谐振腔状的胶层，以及直波导状胶层两侧的光栅结构胶层；
第四步：ICP深硅刻蚀，完成对SOI基片顶层表面Si的刻蚀，胶层下方的Si得到保留；
第五步：将完成腐蚀的SOI基片放入丙酮溶液中进行清洗去胶处理，并用去离子水清洗，氮气吹干，得到光波导、微环谐振腔和光栅结构；
第六步：在加工得到的微环谐振腔和直波导的表层上，涂覆一层用TiO2制成的湿敏薄膜，并最终完成SOI硅基光学微环谐振腔湿度传感器的制备。
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