[发明专利]检测电路及应用其的电子装置

说明书

本申请实施例的检测电路及应用其的电子装置，其中，检测电路包括第四支路、第五支路、第三储能单元，所述第四支路包括多个第四开关器件，所述第五支路包括多个第五开关器件；所述第四支路用于通过所述多个第四开关器件的开关配合将预先设定的电信号阈值采样到所述第三储能单元，所述第五支路用于通过所述多个第五开关器件的开关配合将第一储能单元的检测端之间的压差采样到所述第三储能单元，以比较所述检测端之间的压差与预设的电信号阈值，从而可以准确地确定所述检测端之间的压差与预先设定的电信号阈值的关系，进而可以通过控制预先设定的电信号阈值保证驱动信号的驱动电压不会使得功率DNMOS管击穿。

技术领域

本申请实施例涉及电路技术领域，尤其涉及一种检测电路及应用其的电子装置。

背景技术

为了在不牺牲驱动能力的前提下，同时降低功率芯片面积和成本，有一种方法就是在具有相同导通电阻的前提下选择尺寸上尽可能小的功率管，而为此就需要提供更高的电源电压才能使得尺寸较小的功率管开启。比如，如果传统的功率芯片包括功率PMOS管，在具有相同导通电阻的前提下，由于功率NMOS管的尺寸要小的多，尤其在越来越多的产品应用都需求D类功率放大器和马达驱动等功率芯片实现高电压、大驱动能力和更低的成本时，在高压DMOS工艺中，相同导通电阻的功率DNMOS管会比功率DPMOS管小三四倍，这样可以实现芯片面积的较大程度减小，同时还可以避免工艺掩膜版(mask)，从而降低了成本。但是，如前所述，这就需要提供更高的驱动电压才能开启功率DNMOS管，而在提供驱动电压时，需要保证驱动电压不会使得功率DNMOS管击穿。

因此，亟待提供一种技术方案，以有效解决如何保证驱动电压不会使得功率DNMOS管击穿的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例所解决的技术问题之一在于提供一种检测电路及应用其的电子装置，以保证驱动电压不会击穿功率DNMOS管。

本申请实施例提供了一种检测电路，其特征在于，包括：第四支路、第五支路、第三储能单元，所述第四支路包括多个第四开关器件，所述第五支路包括多个第五开关器件；所述第四支路用于通过所述多个第四开关器件的开关配合将预先设定的电信号阈值采样到所述第三储能单元，所述第五支路用于通过所述多个第五开关器件的开关配合将第一储能单元的检测端之间的压差采样到所述第三储能单元，以比较所述检测端之间的压差与预设的电信号阈值。

本申请实施例还提供了一种电子装置，其包括如上所述的检测电路。

本申请实施例的检测电路及应用其的电子装置，其中，检测电路包括第四支路、第五支路、第三储能单元，所述第四支路包括多个第四开关器件，所述第五支路包括多个第五开关器件；所述第四支路用于通过所述多个第四开关器件的开关配合将预先设定的电信号阈值采样到所述第三储能单元，所述第五支路用于通过所述多个第五开关器件的开关配合将第一储能单元的检测端之间的压差采样到所述第三储能单元，以比较所述检测端之间的压差与预设的电信号阈值，从而可以准确地确定所述检测端之间的压差与预先设定的电信号阈值的关系，进而可以通过控制预先设定的电信号阈值保证驱动信号的驱动电压不会使得功率DNMOS管击穿。

附图说明

后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本申请实施例的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：

图1为本申请实施例提供的一种电荷泵电路的结构示意图；

图2为图1的时序图；

图3为本申请实施例提供的一种检测电路的结构示意图；

图4为图3的时序图。

具体实施方式

实施本申请实施例的任一技术方案必不一定需要同时达到以上的所有优点。