[发明专利]一种直流盆式绝缘子在审
| 申请号: | 201810101639.7 | 申请日: | 2018-02-01 |
| 公开(公告)号: | CN108320869A | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
| 发明(设计)人: | 何金良;李传扬;张波;林川杰;胡军;李琦 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | H01B17/00 | 分类号: | H01B17/00;H01B17/42 |
| 代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 逯长明;许伟群 |
| 地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 盆式绝缘子 嵌件 环氧氧化铝 复合件 绝缘子 法兰 水平电场分量 表面电荷量 水平面夹角 运行稳定性 表面电荷 长期运行 电场分量 电荷积聚 电力技术 关键技术 绝缘特性 设备生产 外侧设置 直流电压 法向 连线 申请 积聚 制造 交流 研究 | ||
本申请涉及电力技术设备生产制造技术领域,具体涉及一种直流盆式绝缘子。直流电压下SF6气体环境绝缘特性和交流下有很大的区别,控制电荷积聚,降低绝缘子长期运行过程中表面电荷量,成为研究直流GIL绝缘子的关键技术及难点。本申请提供一种直流盆式绝缘子,包括中央嵌件,中央嵌件外侧设置有环氧氧化铝复合件,环氧氧化铝复合件的一端与中央嵌件相连接,环氧氧化铝复合件的另一端与法兰相连接;中央嵌件包括第一交点,法兰包括第二交点,第一交点与第二交点之间的连线与水平面夹角不大于20°。从而使得在不提高水平电场分量的前提下,大大降低法向电场分量,从而抑制表面电荷积聚,提高直流盆式绝缘子在直流下的运行稳定性。
技术领域
本申请涉及电力技术设备生产制造技术领域,具体涉及一种直流盆式绝缘子。
背景技术
气体绝缘金属封闭输电线路(Gas-insulated transmission lines,简称GIL)包括直流GIL和交流GIL。在直流电压下,GIL同轴圆柱气体间隙中电场恒定,电场分布取决于绝缘材料电导率,绝缘材料的电导率又在很大程度上受温度、湿度、电场强度及加压时间等诸多因素的影响,同时,运行过程中,直流下存在的极性反转、瞬态过电压干扰等因素都极大地影响到GIL绝缘系统的稳定性。另外,在恒定直流电场的作用下,金属导电微粒更容易在电场作用下,迁移并附着在绝缘子表面;绝缘子表面在直流下会有电荷积聚,将导致绝缘子表面电场发生畸变,这都将成为诱发直流下绝缘子发生不明沿面闪络的原因。
制约直流盆式绝缘子的关键问题在于直流电压下表面会有电荷积聚,表面电荷积聚将导致局部电场畸变,特别是当直流盆式绝缘子上叠加有操作过电压或者雷电过电压,或者极性翻转的过程中,绝缘子则更容易发生沿面闪络。而直流盆式绝缘子运行过程中,其表面电荷积聚与表面法向电场分量成正相关。因此,降低法向电场分量可以大大降低表面电荷积聚程度。然而,想要降低法向电场分量,势必将会对水平电场分量造成影响,水平电场升高则会导致沿面闪络电压下降,因此,又不能无限制的降低法向场。
直流电压下SF6气体环境绝缘特性和交流下有很大的区别,控制电荷积聚,降低绝缘子长期运行过程中表面电荷量,成为研究直流GIL绝缘子的关键技术及难点。
发明内容
本申请的目的是为了解决因此,直流电压下SF6气体环境绝缘特性和交流下有很大的区别,控制电荷积聚,降低绝缘子长期运行过程中表面电荷量,成为研究直流GIL绝缘子的关键技术及难点的问题。
为此,本发明实施例提供了如下技术方案:一种直流盆式绝缘子,包括中央嵌件,所述中央嵌件外侧设置有环氧氧化铝复合件,所述环氧氧化铝复合件的一端与中央嵌件相连接,所述环氧氧化铝复合件的另一端与法兰相连接;
所述中央嵌件包括第一交点,所述法兰包括第二交点,所述第一交点与所述第二交点之间的连线与水平面夹角不大于20°。
可选地,所述环氧氧化铝复合件的上端面包括依次光滑连接的第一弧面、第二弧面和第三弧面,所述第二弧面高度低于所述中央嵌件的高度。
可选地,所述法兰上设置有第一安装孔。
可选地,所述中央嵌件上设置有第二安装孔。
可选地,所述第二安装孔包括螺钉孔。
可选地,还包括屏蔽环,所述屏蔽环设置于所述环氧氧化铝复合件内,所述屏蔽环与所述法兰相连接。
可选地,所述屏蔽环通过镶块与所述法兰连接。
可选地,所述镶块与所述屏蔽环焊接,所述镶块与所述法兰通过螺钉连接。
可选地,所述镶块的数量为6个。
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