[发明专利]一种高通量材料制备的装置及其应用

权利要求书

1.一种高通量材料制备的装置，其特征在于：包括基片台(1)、材料共混区(2)、基片台移动系统(3)、溅射源(4)和溅射电源(5)；

所述基片台(1)上安装有若干个可组装延伸的基片单元；

所述溅射源(4)包括若干个不同靶材料的溅射阴极，每个溅射阴极由独立的溅射电源(5)控制，并且使用时，所有溅射阴极的束流汇集于所述材料共混区(2)；

所述材料共混区(2)为不同靶材料的溅射阴极对基片单元进行溅射的溅射材料的混合区域；

所述基片台移动系统(3)控制所述基片台(1)移动，使基片单元依序通过材料共混区(2)，进行磁控溅射。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述基片单元为圆形、矩形或者其它任意形状，每个基片单元之间相互连接或相互绝缘、隔热。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：还包括偏压系统，所述偏压系统独立的为各基片单元提供偏压，或者同时为所有或部分基片单元提供偏压。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：还包括加热系统，所述加热系统独立的为各基片单元加热，或者同时为所有或部分基片单元加热。

5.根据权利要求1-4任一项所述的装置，其特征在于：所述基片台移动系统(3)通过丝杆传动或气动的传动方式，控制所述基片台(1)在X、Y或Z方向移动。

6.根据权利要求1-4任一项所述的装置，其特征在于：所述不同靶材料的溅射阴极中，靶材料选自Cu、Al、V、Ti、Cr、Mn、Zn、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Ta、W、Pt、Au等金属材料及其合金中的任意一种，或者，靶材料为TiO₂、CuO、ZrO₂、CdS或PbS。

7.根据权利要求1-4任一项所述的装置，其特征在于：所述不同靶材料的溅射阴极的数量为2-100个，各溅射阴极的靶材料各不相同。

8.根据权利要求1-4任一项所述的装置，其特征在于：所述溅射电源(5)为直流电源或脉冲电源，所述脉冲电源包括中频脉冲、射频脉冲和高功率脉冲中的任意一种，可独立的为各溅射阴极提供驱动。

9.根据权利要求1-4任一项所述的装置，其特征在于：所述基片台(1)与溅射源(4)的距离为5-100cm，所述材料共混区(2)中，各溅射阴极的溅射材料的交汇区域面积为1-100cm²。

10.根据权利要求1-9任一项所述的装置在新材料研发、材料基因组材料库建库或高通量薄膜材料生产中的应用。