[发明专利]晶圆支承台

说明书

本发明提供一种晶圆支承台。晶圆支承台(20)具备屏蔽片(40)和屏蔽管(42)。屏蔽片(40)在等离子体产生电极(26)与加热器电极(30)之间以与两者非接触的状态埋设于陶瓷基体(22)中。屏蔽管(42)与屏蔽片(40)电连接，从陶瓷基体(22)的背面(22b)向陶瓷轴(24)的内部(陶瓷基体(22)的外部)延伸。等离子体产生电极(26)的杆(28)以与屏蔽管(42)非接触的状态贯穿于屏蔽管(42)的内部。加热器电极(30)的配线构件(31a、32a)以与屏蔽管(42)非接触的状态配置于屏蔽管(42)的外部。

技术领域

本发明涉及一种晶圆支承台。

背景技术

以往，在半导体制造工艺中，有时采用等离子体CVD工序。在等离子体CVD工序中，将晶圆载置于晶圆支承台的晶圆载置面上。在晶圆支承台的陶瓷基体中埋设有接地的下部电极和对晶圆进行加热的加热器电极。另一方面，在晶圆的上方空间配置有与RF电源连接的上部电极。并且，若向上部电极供给RF电流，则在上部电极与下部电极之间的空间中产生等离子体，利用该等离子体将薄膜蒸镀于晶圆。此外，也有时将下部电极与RF电源连接，使上部电极接地。

在这样的等离子体CVD工序中，由于由RF电流产生的RF磁场的时间变化，感应出RF电场，加热器电极有时由于RF噪声而受到影响。考虑这一点，在专利文献1中，在下部电极与加热器电极之间设置有RF屏蔽件。

然而，即使是在下部电极与加热器电极之间设置有RF屏蔽件的情况下，若RF电流的频率变高，则也难以充分防止RF噪声对加热器电路的影响。

专利文献1：美国专利6683274号说明书

发明内容

本发明是为了解决这样的问题而做成的，主要目的在于在等离子体产生装置所使用的晶圆支承台中充分防止RF噪声对加热器电路的影响。

在本发明的晶圆支承台中，在具备晶圆载置面的陶瓷基体中，从所述晶圆载置面一侧起按照等离子体产生电极、加热器电极的顺序以间隔状态埋设，所述等离子体产生电极的配线构件和所述加热器电极的配线构件从所述陶瓷基体的与所述晶圆载置面相反侧的面被引出到所述陶瓷基体的外部，

该晶圆支承台具备：屏蔽片，其在所述等离子体产生电极与所述加热器电极之间以与两者非接触的状态埋设于所述陶瓷基体中；

屏蔽管，其与所述屏蔽片电连接，从所述陶瓷基体的与所述晶圆载置面相反侧的面延伸到所述陶瓷基体的外部，

所述等离子体产生电极的配线构件以与所述屏蔽管非接触的状态贯穿于所述屏蔽管的内部，

所述加热器电极的配线构件以与所述屏蔽管非接触的状态配置于所述屏蔽管的外部。

在该晶圆支承台中，屏蔽片防止在等离子体产生电极的周围产生的RF电场与加热器电极耦合。该RF电场是由于由流过等离子体产生电极的RF电流产生的RF磁场的时间变化而被感生的。另外，屏蔽管防止在等离子体产生电极的配线构件的周围产生的RF电场与加热器电极耦合。该RF电场是由于由流过等离子体产生电极的配线构件的RF电流产生的RF磁场的时间变化而被感生的。在专利文献1中不具备这样的屏蔽管，因此，无法防止RF电场与加热器电极的配线构件耦合，但在本发明中具备这样的屏蔽管，因此，能够防止RF电场与加热器电极的配线构件耦合。因而，根据本发明，能够充分防止RF噪声对包括加热器电极及其配线构件在内的加热器电路的影响。

在本发明的晶圆支承台中，也可以是，所述加热器电极的配线构件在所述加热器电极与外部电源之间具备低通滤波器。这样的话，能够利用屏蔽片和屏蔽管来防止未被低通滤波器完全防止的RF噪声。

在本发明的晶圆支承台中，也可以是，所述屏蔽片是网片、冲孔金属板或金属板的板状构件，所述屏蔽管是网状管、冲孔金属管或金属板的筒状构件。网眼的大小、冲孔金属的孔的大小被设计成能够充分防止RF噪声的影响。