[发明专利]制造集成电路的方法和系统

说明书

一种制造包括标准单元的实例的集成电路(IC)的方法包括布置第一实例并布置与第一实例相邻的第二实例。所述第二实例具有与所述第一实例的场景组相对应的前端层图案。所述场景组包括与实例的前端层图案有关的信息，所述前端层图案在所述第一实例上引起相同的局部布局效应(LLE)并且与所述第一实例相邻地布置。

相关申请的交叉引用

本申请根据35U.S.C.需求2017年1月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0012967以及于2017年9月15日提交的韩国专利申请第10-2017-0118835的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及集成电路(IC)，并且更具体地涉及考虑局部布局效应(LLE)的制造IC的方法和系统。

背景技术

配置为处理数字信号的集成电路(IC)可以基于标准单元来设计。IC可以包括标准单元的实例，与一个标准单元相对应的实例可以具有相同的结构，即相同的布局。实例可以布置为使得IC可以提供所需的功能，并且可以产生互连来电连接实例，使得可以产生IC的布局。

由于半导体制造工艺的小型化，包括在多个层中形成的图案在内的标准单元不仅可以包括具有减少的尺寸的图案，而且本身具有减少的尺寸。因此在这种情况下，在IC中的标准单元包括的外围结构(例如，外围布局)的影响可能增加。外围布局的影响可以称为局部布局效应(LLE)或布局依赖效应(LDE)。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，一种制造包括标准单元的实例在内的集成电路(IC)的方法包括布置第一实例并布置与第一实例相邻的第二实例。所述第二实例具有与所述第一实例的场景组相对应的前端层图案。所述场景组包括与实例的前端层图案有关的信息，所述前端层图案在所述第一实例上引起相同的局部布局效应(LLE)并且与所述第一实例相邻地布置。

根据本发明构思的示例性实施例，一种制造包括IC的半导体器件的方法包括：设计IC以产生包括标准单元的实例在内的布局数据；以及使用布局数据来制造IC。设计IC包括布置第一实例并且布置沿第一方向与所述第一实例相邻的第二实例，并且确定第二实例的前端层图案是否与所述第一实例的场景组相对应。所述第一实例的所述场景组包括与所述实例的前端层图案有关的信息，所述前端层图案在所述第一实例上引起相同的LLE并且与所述第一实例相邻地设置。

根据本发明构思的示例性实施例，计算系统配置为制造包括标准单元的实例贼内的IC。计算系统包括：存储器，配置为存储包括工序在内的信息，以及处理器，配置为访问存储器并执行所述工序。所述工序包括实例放置器和布线器。所述实例放置器配置为在标准单元的实例中布置第一实例和第二实例。所述第二实例的有源区具有与所述第一实例的场景组相对应的形状。所述布线器配置为对所述实例进行布线并产生所述IC的布局。所述场景组包括与所述实例的有源区有UA N的信息，所述实例的有源区在所述第一实例上引起相同的LLE并与所述第一实例相邻地设置。

附图说明

通过参考附图详细描述发明构思的示例性实施例，本发明构思的以上和其他特征将被更清楚地理解。

图1是根据本发明构思的示例性实施例的包括配置为存储程序的存储器在内的计算系统的框图。

图2A示出了根据本发明构思的示例性实施例的集成电路(IC)的示意布局。

图2B示出了根据本发明构思的示例性实施例的图2A的IC的示意布局的一部分。

图3是根据本发明构思的示例性实施例的图1的程序的框图。

图4是根据本发明构思的示例性实施例的设计IC的方法的流程图。

图5是示出了根据本发明构思的示例性实施例的目标标准单元上的局部布局效应(LLE)的曲线图。