[发明专利]一种耐折叠高阻隔复合包装薄膜的磁控溅射制备工艺

权利要求书

1.一种耐折叠高阻隔复合包装薄膜的磁控溅射制备工艺，其特征在于：包含如下步骤：(1)基材的准备；(2)将基材送入预溅射真空箱进行预溅射清洗，预溅射气体为99.95％-99.99％氩气，预溅射功率加大速率为0.1-6W小时/平方厘米，溅射时间为30-500秒；(3)开启射频电源，在预溅射基体上进行多靶材同时沉积制备复合高阻膜，其中，经过预溅射的基材缠绕在滚筒表面固定，真空室的真空度控制在0.1-10×10^-5Pa，工作气体为氩气或者氩氧混合气，氩气纯度为99.95％-99.99％，气流量为10-450sccm，氧气纯度为99.95％-99.999％，气流量为0.5-100sccm，工作气压控制为0.2-2Pa，靶基距为4-16cm，滚筒旋转速度控制为0.5-10m/分，溅射时间为5-300分钟；所述的多靶材共溅射为以高分子聚合物为靶材，将其与无机靶材、无机氧化物靶材中一种或者两种组成双靶材或者三靶材同时溅射。

2.根据权利要求1所述的一种耐折叠高阻隔复合包装薄膜的磁控溅射制备工艺，其特征在于：所述的基材为采用由聚对苯二甲酸乙二醇酯、PP、EVOA和PA单一组分或者一种以上组分多层共混塑料。

3.根据权利要求1所述的一种耐折叠高阻隔复合包装薄膜的磁控溅射制备工艺，其特征在于：所述的高分子靶材采用PI、PTFE、聚乙烯LLDPE、聚异戊二烯和环氧树脂单一或者一种以上共混的高分子聚合物。

4.根据权利要求1所述的一种溅射耐折叠高阻隔复合薄膜的制备工艺，其特征在于：所述的无机材料为Si、Al、Ti、石墨中的一种或者一种以上；无机氧化物为SiOx、ZnO、Al₂O₃、SiNyOx、TiO₂、ITO以及DLC等中一种或者一种以上。

5.根据权利要求1所述的一种耐折叠高阻隔复合包装薄膜的磁控溅射制备工艺，其特征在于：所述的高分子靶材的溅射功率密度为0.1-10W/平方厘米，无机与无机氧化物靶材的溅射功率密度为0.1-15W/平方厘米，调节高分子靶材与陶瓷靶材的功率密度比为0.1-10之间。

6.根据权利要求1所述的一种耐折叠高阻隔复合包装薄膜的磁控溅射制备工艺，其特征在于：所述的真空室的真空度控制在2-5×10^-5Pa，工作气体为工作气体为氩气或者氩氧混合气，氩气纯度为99.95％-99.99％，气流量为40-150sccm，氧气纯度为99.95％-99.999％，气流量为5-45sccm，工作气压控制为0.55-0.9Pa，靶基距为4-10cm，滚筒旋转速度控制为1-3m/分，溅射功率控制为0.5-6W/平方厘米，溅射时间为15-90分钟。

7.根据权利要求5所述的一种溅射耐折叠高阻隔复合薄膜的制备工艺，其特征在于：所述的基材单面或者双面沉积柔性阻隔层。

8.根据权利要求6所述的一种溅射耐折叠高阻隔复合薄膜的制备工艺，其特征在于：所述的共沉积靶材分别为聚合物与无机材料，则工作气体为氩氧混合气，其中，氩气流量与氧气流量的比值为100:1-100:90之间；所述的共沉积靶材分别为聚合物与无机氧化物，则工作气体为氩气或者氩氧混合气。