[发明专利]一种导热耐老化电子设备外壳材料及其制备方法

说明书

本发明公开了一种导热耐老化电子设备外壳材料及其制备方法，涉及电子设备应用材料领域，该材料包括以下按重量份计的原料：PBT树脂、尼龙6T纤维、低密度聚乙烯、聚醚酰亚胺、甲基丙烯酸甲酯、十溴二苯乙烷、乙基三甲氧基硅烷、改性纳米二氧化硅、液态阻燃剂、无机填料、抗静电剂和防老剂。其制备方法是通过对原料的混熔、脱泡、注模、固化烧结制得的。该种电子设备外壳材料制备简单方便、原料成本低廉，利用其材料制得的电子设备外壳不仅具有良好的导热性和耐老化性，而且在具备质轻的同时也能具有较高的力学强度和低收缩率，应用广泛。

技术领域

本发明涉及电子设备应用材料领域，具体涉及一种导热耐老化电子设备外壳材料及其制备方法。

背景技术

电子设备的外壳材料通常为丙烯腈-丁二烯-苯乙烯塑料(ABS)、ABS工程塑料(PC+ABS)、高抗冲聚苯乙烯(HIPS)等，ABS、PC+ABS等材料的尺寸稳定性、耐冲击性、加工流动性优良，然而密度在1.15g/cm³以上，质量重，并且成本高。HIPS是通过在聚苯乙烯(PS)中添加丁苯或顺丁橡胶改性而成，其成本低，易成型加工，然而该材料的阻燃性差、并且收缩率高，利用其制备的电子设备外壳在可靠性试验、环境试验中变形量加大，不仅影响电子设备的外观，甚至还可能会引起外壳开裂，因此使用和应用范围受到限制。如何获得成型温度低、制备简单方便、成本低廉、加工性能以及综合性能良好，特别是同时具有良好的导热性和耐老化性、低收缩率且质轻的外壳材料成为亟待解决的问题。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明提供了一种导热耐老化电子设备外壳材料及其制备方法，该种电子设备外壳材料制备简单方便、原料成本低廉，利用其材料制得的电子设备外壳不仅具有良好的导热性和耐老化性，而且在具备质轻的同时也能具有较高的力学强度和低收缩率，应用广泛。

为了达到上述目的，本发明通过以下技术方案来实现的：

一种导热耐老化电子设备外壳材料，包括以下按重量份计的原料：PBT树脂40-50份、尼龙6T纤维10-20份、低密度聚乙烯20-30份、聚醚酰亚胺5-15份、甲基丙烯酸甲酯6-10份、十溴二苯乙烷4-8份、乙基三甲氧基硅烷3-5份、改性纳米二氧化硅10-20份、液态阻燃剂1-5份、无机填料3-5份、抗静电剂1-3份和防老剂1-3份；

上述的改性纳米二氧化硅包括以下按重量份计的成分制得：纳米二氧化硅10-20份、丙二醇1-3份和去离子水10-20份；其制备方法如下：先将纳米二氧化硅、丙二醇和的去离子水加入至容器中超声波分散处理50-60min，再加入相当于纳米二氧化硅质量1-2％的KH-570硅烷偶联剂和1-3％的油酸混合均匀，继续超声波分散处理40-50min后，将分散液置于反应容器中水浴加热至88-94℃，冷凝回流4-6h，反应结束后烘干研磨至150-250目筛，即制得本发明原料所需的改性纳米二氧化硅。

进一步地，上述材料包括以下按重量份计的原料：PBT树脂45份、尼龙6T纤维15份、低密度聚乙烯25份、聚醚酰亚胺10份、甲基丙烯酸甲酯8份、十溴二苯乙烷6份、乙基三甲氧基硅烷4份、改性纳米二氧化硅15份、液态阻燃剂3份、无机填料4份、抗静电剂2份和防老剂2份。

进一步地，上述改性纳米二氧化硅包括以下按重量份计的成分制得：纳米二氧化硅15份、丙二醇2份和去离子水15份；其制备方法如下：先将纳米二氧化硅、丙二醇和的去离子水加入至容器中超声波分散处理55min，再加入相当于纳米二氧化硅质量1.5％的KH-570硅烷偶联剂和2％的油酸混合均匀，继续超声波分散处理45min后，将分散液置于反应容器中水浴加热至91℃，冷凝回流5h，反应结束后烘干研磨至1200目筛，即制得本发明原料所需的改性纳米二氧化硅。

优选地，上述液态阻燃剂采用叔丁基化芳基磷酸酯。

优选地，上述无机填料采用高岭土、硅藻土或者钠基膨润土中的一种，且无机填料的粒径小于等于80μm。