[发明专利]一种纳米限域富镁合金的制备方法

权利要求书

1.一种纳米限域富镁合金的方法，其特征在于，步骤如下：

（ 1） 制备富镁合金熔体：

1)选取镁锭、铈锭和镍粉，按照所要制备的配比进行称量，包括Mg-Ni-Ce合金，镁含量为90at.％，铈含量为1-9at.％，其余为镍；通过压片机将镍粉预压成片；

2)熔炼前处理，将石墨坩埚预热到100～200℃，将镁锭的成分加入到坩埚中，然后预热5～10min；

3)熔炼，将步骤2)的镁锭的成份加入石墨坩埚中，升温到550～600℃，用镁合金熔炼保护剂覆盖，然后升温到790～810℃，保持5～10min；将铈锭投入温度为790～810℃的镁金属液中，搅拌均匀，得到合金熔体；

4)将步骤3)中得到合金熔体升温到820～850℃，保持5～10min，将压制的镍片投入温度为820～850℃的合金熔体，搅拌均匀，得到Mg-Ni-Ce合金熔体；

5)将Mg-Ni-Ce合金熔体升温至880～900℃，并保温15min，保温过程中对合金熔体搅拌，待镍片全部熔化；

（ 2） 得到的富镁合金熔体进行限域处理：

将孔径30～80μm的泡沫钛放入到步骤5)保温后的Mg-Ni-Ce合金熔体中，保温5～10min，取出泡沫钛在室温下冷却，得到纳米限域富镁合金。

2.根据权利要求1所述的一种纳米限域富镁合金的方法，其特征在于，所述的步骤1)中压片机压力为1.5MPa，保压时间为10s。

3.根据权利要求1所述的一种纳米限域富镁合金的方法，其特征在于，所述的镁合金熔炼保护剂为RJ-2镁合金熔炼覆盖保护剂。