[发明专利]柔性显示基板及其制备方法

说明书

本发明涉及一种柔性显示基板及其制备方法。柔性显示基板包括柔性衬底、缓冲层、以及位于柔性衬底与缓冲层之间的刻蚀终点指示层；刻蚀终点指示层用以当干法刻蚀缓冲层时指示刻蚀终点。上述柔性显示基板中，由于刻蚀终点指示层位于柔性衬底与缓冲层之间，刻蚀过程中，当干法刻蚀缓冲层至缓冲层与刻蚀终点指示层的界面时，刻蚀终点能够被抓取。因此，刻蚀过程能够及时停止，避免造成柔性衬底裸露，从而能够避免刻蚀腔室污染，有利于应用。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种柔性显示基板及其制备方法。

背景技术

随着显示屏的发展，柔性显示技术逐渐成为一种趋势。为实现可弯折效果，阵列工艺通常需要刻蚀至柔性衬底。然而，采用干法刻蚀时，柔性衬底与上层功能层的界面刻蚀不能被抓取，通常会直接刻蚀至柔性衬底上。导致干法刻蚀过程中柔性衬底裸露，容易造成刻蚀腔室污染，不利于应用。

发明内容

基于此，有必要针对如何避免刻蚀腔室污染的问题，提供一种能够避免刻蚀腔室污染的柔性显示基板及其制备方法。

一种柔性显示基板，包括柔性衬底、缓冲层、以及位于柔性衬底与缓冲层之间的刻蚀终点指示层；所述刻蚀终点指示层用以当干法刻蚀所述缓冲层时指示刻蚀终点。

上述柔性显示基板中，由于刻蚀终点指示层位于柔性衬底与缓冲层之间，刻蚀过程中，当干法刻蚀缓冲层至缓冲层与刻蚀终点指示层的界面时，刻蚀终点能够被抓取。因此，刻蚀过程能够及时停止，避免造成柔性衬底裸露，从而能够避免刻蚀腔室污染，有利于应用。

在其中一个实施例中，所述刻蚀终点指示层为a-Si层、氮化硅层或者氮氧化硅层。

在其中一个实施例中，所述刻蚀终点指示层为金属层或者金属氧化物层。

在其中一个实施例中，所述金属层的材质为钼或者钛。

在其中一个实施例中，所述金属氧化物层为ITO层。

在其中一个实施例中，所述刻蚀终点指示层的厚度为10nm～20nm。

在其中一个实施例中，所述缓冲层为氧化硅层。

在其中一个实施例中，所述柔性衬底包括：

第一有机柔性基底；

分隔层，所述分隔层包括依次层叠的氧化硅层、氮化硅层以及a-Si层；

以及第二有机柔性基底；

其中，所述第一有机柔性基底与所述第二有机柔性基底分别位于所述分隔层的两侧。

在其中一个实施例中，所述第一有机柔性基底与所述第二有机柔性基底均为PI层。

此外，还提供一种柔性显示基板的制备方法，包括以下步骤：

提供柔性衬底；

在所述柔性衬底上形成刻蚀终点指示层；

以及在所述刻蚀终点指示层上形成缓冲层；

其中，所述刻蚀终点指示层用以当刻蚀所述缓冲层时指示刻蚀终点。

采用上述柔性显示基板的制备方法制备得到的柔性显示基板中，由于刻蚀终点指示层位于柔性衬底与缓冲层之间，刻蚀过程中，当干法刻蚀缓冲层至缓冲层与刻蚀终点指示层的界面时，刻蚀终点能够被抓取。因此，刻蚀过程能够及时停止，避免造成柔性衬底裸露，从而能够避免刻蚀腔室污染，有利于应用。

附图说明

图1为一实施方式的柔性显示基板的示意图。

具体实施方式