[发明专利]氯硅烷液体中和处理装置及处理方法有效
申请号: | 201810053135.2 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN108126644B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 吴中明 | 申请(专利权)人: | 德山化工(浙江)有限公司 |
主分类号: | B01J19/18 | 分类号: | B01J19/18 |
代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人: | 曾耀先 |
地址: | 314201 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅烷 液体 中和 处理 装置 方法 | ||
本发明提供了一种氯硅烷液体中和处理装置,包括中和所述氯硅烷液体的碱性中和液、储存所述碱性中和液的储存槽、供应所述氯硅烷液体的供应管及用于喷射惰性气体的喷射管,所述供应管设于所述储存槽内,所述喷射管设于所述供应管的液体流出口的周围以向围设形成所述液体流出口的液体流出口侧壁喷射惰性气体防止液体流出口堵塞以及副生盐酸腐蚀所述供应管。通过上述技术手段可以大大减轻氯硅烷液体与水发生反应副生二氧化硅堵塞供应管的液体流出口部以及副生盐酸腐蚀液体流出口部。本发明装置结构简单、使用方便,具有较强的实用性。
技术领域
本发明涉及净化回收技术领域,具体来说涉及一种氯硅烷液体中和处理装置及处理方法。
背景技术
氯硅烷作为有机硅树脂的原料、表面处理剂、硅晶片以及太阳能电池中使用的多晶硅的原料被广泛使用。作为有机硅树脂原料的二甲基二氯硅烷是通过金属硅和氯代甲烷反应合成的,多晶硅原料的三氯硅烷是通过金属硅和氯化氢反应合成的。
上述反应都是通过蒸馏塔精制,需要能生产所要求纯度的氯硅烷生产工段。通过蒸馏被分离出来的目标产物以外的氯硅烷,根据需要可以使用在二氧化硅的原料和表面处理剂等中,但最终在蒸馏中未能充分精制的氯硅烷液体,必须要进行碱性水溶液中和后废弃。
如图1所示是现有技术中氯硅烷液体的中和装置的代表式样简略图。将氯硅烷液体供应管1的液体流出口部浸在储存槽2中的碱性中和液3的液体表面,通过将氯硅烷液体混入到碱性中和液中进行处理,这是一般的方法。但这种方法具有以下问题:和水反应的氯硅烷液体会副生二氧化硅,堵塞氯硅烷液体供应管1的液体流出口部,副生的盐酸气体会腐蚀管线,不能长期使用。特别是如果氯硅烷液体是通过上述的金属硅和氯化氢反应制造三氯氢硅工艺中所排出来的废液,该废液中大多会含有来源于金属硅中的金属杂质中的固体金属氯化物,如果像这样氯硅烷液体中含有固体物,该固体物会粘附在液体流出口侧壁上,容易发生二氧化硅的堆积和副生盐酸气体的冷凝,上述液体流出口部的堵塞和腐蚀问题会更加严重。
也有如下的不是使用氯硅烷的液体进行中和,而是使用氯硅烷气体进行中和的方法。使氯硅烷废气伴随着氮气,进入喷淋式除害塔顶部,进行碱性中和液处理,碱性中和液储存在储存槽中。当然,如果是气体状的,那么氯硅烷的浓度肯定要比液体状低很多,而且即使是上述金属硅和氯化氢反应生成三氯氢硅的制造工艺中排出来的氯硅烷,也不会含有固体金属氯化物等的固体物,所以废气供应管线的出口部也不会发生上述副生二氧化硅的堵塞以及盐酸腐蚀问题。因此相关的氯硅烷废气的喷淋式中和处理和上述氯硅烷液体的中和处理是完全不同的技术,在解决该氯硅烷液体的中和处理中的上述氯硅烷液体供应管的堵塞以及腐蚀问题上,不能作为任何的参考。
发明内容
鉴于上述情况,本发明提供一种氯硅烷液体处理装置及处理方法,能防止氯硅烷液体因和碱性中和液相接触产生的副生二氧化硅堵塞氯硅烷液体供应管的液体流出口部,以及可以减少副生盐酸气体对管线的腐蚀,特别是以金属硅为原料合成的氯硅烷液体,蒸馏残渣中会含有氯化铝为主的金属杂质。这些金属杂质是以固体形式存在,上述氯硅烷液体供应管的液体流出口部的堵塞会更加频繁的发生。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案是:一种氯硅烷液体中和处理装置,包括中和所述氯硅烷液体的碱性中和液及储存所述碱性中和液的储存槽,所述处理装置还包括:
供应所述氯硅烷液体的供应管,所述供应管的下端成形有氯硅烷液体流出口,所述液体流出口延伸至所述碱性中和液的储存槽内,所述液体流出口位于所述碱性中和液的液面上方;
用于喷射惰性气体的喷射管,所述喷射管包括喷射管管体及送气管,所述喷射管管体的一端成形有向下的气体喷出口,所述气体喷出口的高度高于所述氯硅烷液体流出口,所述喷射管设于所述液体流出口的周围以向围设形成所述液体流出口的液体流出口侧壁周围喷射惰性气体,所述送气管与所述喷射管管体连通设置。
本发明实施例中,所述供应管的液体流出口与所述碱性中和液的液面之间的距离为500~2000mm。
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